gtr是全控还是半控

gtr是全控。

gtr是一种全控型半导体器件，当然需要触发脉冲．gtr具有耐高电压、大电流的双极型晶体管．gtr导通时电压降很小，截止时漏电流很小，开关频率中等，开关损耗小的特点．gtr的缺点也比较明显，例如驱动电流大、耐浪涌冲击能力弱等均影响了gtr的应用。

GT-R是日产汽车生产的高性能、高可靠性的大马力跑车。555匹的马力、632N·m的扭矩、2.7秒破百、最高车速315km/h。

人类汽车历史上只要是能被称为GT的车型，必不是流俗之辈。GTR是指Grand Touring Racing ，赛道化的GT跑车。但我们通常所说的GTR其实是日产GT-R。GT-R是一个传奇、是车界的战神，更是很多男人从小到大的梦想与信仰之车。

不可控器件，即电力二极管 ，与半控、全控型电力电子器件的主要区别如下：

一、原理不同

1、电力二极管：为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

2、全控型器件：通过控制信号过可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。

3、半控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。

二、特点不同

1、电力二极管：单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。

2、全控型器件：输入阻抗高，驱动电路简单，需要的驱动功率小；开关速度快，工作频率高；热稳定性优于GTR。

3、半控型器件：其伏安特性类似二极管的反向特性；晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流通过。  

三、分类不同

1、电力二极管：有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。

2、全控型器件：门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor—GTO），电力场效应晶体管（Power MOSFET），绝缘栅双极晶体管。

3、半控型器件：主要是晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件。

参考资料来源：

百度百科-全控型器件

百度百科-半控型器件

百度百科-电力二极管

IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。

从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。

所以有了IGBT这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IGBT，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；

IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

扩展资料；

方法

IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

导通

IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。

当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流)； 一个空穴电流(双极)。

关断

当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。

这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。

鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。

参考资料：百度百科-IGBT

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