DINS417-160*2.5-SB160的标准是？

当金属与半导体接触时，费米能级的匹配要求，导致了

金属与半导体之间电荷转移的势垒，通常叫肖特基势垒，它

是由于金属和半导体的功函数不同而产生的。肖特基二极

管就是利用肖特基势垒的整流特性做成的，它与pn结二极

管有儿乎相同的等效电路，相似的伏安特性，其电容和耗尽

层宽度的计算与单边突变结是一样的。但是肖特基二极管

与pn结二极管相比，具有以下优点:a.特别低的正向压降

卜.高的耐冲击电流能力c.低的反向恢复时间。

对SB160其特性参数解释如下：

VRRM（最大反向电压）：60V；

IO（最大整流电流）：1A；

IFSM（最大正向突波电流）：30A；

VF小于0.7V@1A；

IR小于500uA@60V。

以上FYI，thanks!!!

1）首先要选择什么杂质

- 如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.

-B是最常用的

-In和BF的质量比较大，适合于浅掺杂

-BF中的F可能对HCI或者NBTI等可靠性产生正影响，所以Poly中有一些可能有好处。

-如果选择掺杂成N型半导体可以选择P,As和Sb.

-P是最常用的。

-As质量比P中，通常最为浅掺杂。

-Sb通常最为Buried layer,因为扩散比较慢。

2）然后要选择掺杂浓度

-Well implant一般E13剂量

-Vt implant一般E12剂量

-Source/drain一般E15剂量

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