从电子填充的角度:由于电子能级填充满足费米狄拉克分布,那么大于0K情况下填充概率为0.5时的能量就是费米能级。这是半导体中常用考虑的角度。
接触时由于电子能量的差异,电子会从费米能级高的地方流向费米能级低的地方。那么,费米能级低的地方由于负电势-V的存在,整体能量上升U=(-e)(-V)=eV,直到费米能级平齐,此时接触电势差V等于功函数之差。
当接触时费米能级对齐,半导体的结区能带弯曲。能带弯曲同样可以有两种理解方式:
从能量的角度:
从电子填充的角度:假设电子从半导体跑向金属表面,半导体表面电荷减少导致费米能级会更接近于价带。也就是说导带和价带会往上弯曲。
从能量的角度:正电荷分布于半导体表面,建立一个从半导体体内到界面的电场,因此表面电势相对于体内更低,能带向上弯曲。
费米衡量电子占有能级的几率问题,在其下几率大于二分之一,其上小于二分之一。费米能级由材料决定,掺杂为p型,费米靠近价带,n型相反。费米影响功函数,费米大,功函数小,则电流注入效率高。费米与温度有个曲线的,貌似,温度越高,高于费米的占有率更快逼近1,低于的逼近0,没有图,就是个z字形(z拉成直角)的曲线,高于费米的都是1,温度无限高的情况。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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