芯源微行业是什么？芯源微业绩不错可股价怎么这么低？芯源微属于哪家公司？

在我国半导体行业发展中，芯片被"卡脖子"一直是一个痛点，随着我国芯片产业的持续发展及利好政策的陆续出台，广大资本市场的就越来越关注这个领域。今天就对芯片半导体行业中的优质企业--芯源微进行深入研究。

在对芯源微做一个分析之前，我把已经整理好的芯片行业龙头股名单和大家分享一下，感兴趣的朋友戳这里：宝藏资料：芯片行业龙头股名单

一、从公司角度来看

公司介绍：芯源微主要进行半导体专用设备的研发、生产和销售，产品主要有光刻工序涂胶显影设备和单片式湿法设备，可用于这两种类型包括8/12英寸及6英寸及以下在内的单晶圆处理。芯源微以为客户提供半导体装备与工艺整体解决方案的为导向，先后荣获"国家级知识产权优势企业"、"国内先进封装领域最佳设备供应商"等多项殊荣。

简单介绍了芯源微的公司情况后，再来看一下公司的优势有哪些？

优势一、注重人才培养，具有优秀的研发技术团队

芯源微形成了较为完善的人才培养体系，通过承担国家重大专项及地方重大科研任务、开展专题技术培训等方式培养了半导体设备的设计制造、工艺制程、软件开发与应用等多种学科人才。

芯源微重视技术人才队伍的建设，把具有丰富的半导体设备行业经验的高端人才积极引进了一批，聚集了牢固的核心技术人才团队，可以密切追随国际先进技术发展趋势，具有很强的持续创新能力。

优势二、重视研发，具有丰富的技术储备。

通过多年的技术积累以及对国家02重大专项的承担，芯源微已经成功掌握包括光刻工艺胶膜均匀涂敷技术、不规则晶圆表面喷涂技术、精细化显影技术、内部微环境精确控制技术、晶圆正反面颗粒清洗技术、化学药品精确供给及回收技术等在内的多种半导体设备产品核心技术，同时获得了多项自主知识产权。

优势三、完善的供应链

半导体设备的实质是高精密的自动化装备，研发和生产均需使用大规模高精度元器件，对产品机械结构的精度和材质要求不太容易。经过多年的沉淀，芯源微与国内外供应商双方之间建立了较为稳定的合作关系，打造出较为完善的原材料供应链，促进了公司产品原料来源的稳定性及可靠性。

篇幅的原因，与芯源微的深度报告和风险提示有关的具体内容，我已经写进这篇研报里了，可以收藏起来：【深度研报】芯源微点评，建议收藏！

二、从行业角度来看

芯片半导体行业：在宏观周期上，遭到了国外美国为主要力量的技术封锁，国内政策支持周期。

产业链上剖析，上游原材料、生产设备、耗材，紧缺+国产替代+供货不足；中游制造端，国产厂商突围+扩产降本；下游需求端，终端产品正常换代+新能源汽车新需求暴涨+人工智能+云技术。芯片半导体迎来了少有的全产业链供需共振。

现阶段行业处于由周期底部往上的飞速增长阶段，目前的位置是周期曲线中最大导数值处。芯片半导体的发展速度将越来越快。

大体而言，我认为芯源微公司作为芯片半导体行业的龙头企业，受到行业上升红利期的推动，将获得良好的发展机遇。不过文章存在一定的滞后性，若是想要深入了解芯源微未来行情，直接将下方链接打开，有专业的投顾替你诊股，看下芯源微现在行情是否到买入或卖出的好时机：【免费】测一测芯源微还有机会吗？

应答时间：2021-12-07，最新业务变化以文中链接内展示的数据为准，请点击查看

半导体是指导电能力介于金属和绝缘体之间的固体材料。按内部电子结构区分，半导体与绝缘体相似，它们所含的价电子数恰好能填满价带，并由禁带和上面的导带隔开。半导体与绝缘体的区别是禁带较窄，在2～3电子伏以下。

典型的半导体是以共价键结合为主的，比如晶体硅和锗。半导体靠导带中的电子或价带中的空穴导电。它的导电性一般通过掺入杂质原子取代原来的原子来控制。掺入的原子如果比原来的原子多一个价电子，则产生电子导电；如果掺入的杂质原子比原来的原子少一个价电子，则产生空穴导电。

半导体的应用十分广泛，主要是制成有特殊功能的元器件，如晶体管、集成电路、整流器、激光器以及各种光电探测器件、微波器件等。

半导体材料主要用来制做晶体管、集成电路、固态激光器的探测器等器件。1906年发明真空三极管，奠定了本世纪上半叶无线电电子学发展的基础，但采用真空管的装备体积笨重、能耗大、故障率高。1948年发明了半导体晶体管，使电子设备走向小型化、轻量化、省能化，晶体管的功耗仅为电子管的百万分之一。1958年出现了集成电路。集成电路的发展带来了电子计算机的微小型化，从而使人类社会掀开了信息时代新的一页。目前制造集成电路的主要材料是硅单晶。硅的主要特性是机械强度高、结晶性好、自然界中储量丰富、成本低，并且可以拉制出大尺寸的硅单晶。可以说，硅材料是大规模集成电路的基石。

硅固然是取之不尽、用之不竭的原材料，但化合物半导体材料，如砷化镓很可能成为继硅之后第二种最重要的半导体材料。因为与硅相比，砷化镓具有更高的禁带宽度，因而砷化镓嚣器件可以用于更高的工作温度，又由于它具有更高的电子迁移率，所以可用于要求更高频率和更高开关速度的场合，这也就使它成为制造高速计算机的关键材料。砷化镓材料更重要的一个特性是它的光电效应，可以使它成为激光光源，这是实现光纤通讯的关键。因而预计砷化镓材料在世纪之交的90年代将有一个大发展。

在高真空条件下，采用分子速外延（MBE）、化学气相沉积（CVD）、液相外延（LPE）金属有机化学气相沉积（MOCVD）、化学束外延（CBE）等方法，在晶体衬底上一层叠一层地生长出不同材料的薄膜来，每层只有几个原子层，这样生长出来的材料叫超晶格材料。超晶格的出现将为半导体材料、器件的发展开辟更新的天地。

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