实锤!富士康进军半导体

实锤!富士康进军半导体,第1张

青岛建厂为真?

据知情人爆料,富士康计划对青岛建设封装、测试工厂这一项目共计投资600亿元人民币(约合86亿美元),该项目致力于为5G和AI相关设备应用中使用的芯片解决方案提供先进的封装技术,比如扇出、晶片级键合和堆叠。同时,该工厂将于2021年做好投产准备,并于2025年之前将产量扩大到商业水平。按照设计规模计算,该工厂的月生产能力可以达到3万片12英寸晶圆。

对此,许多业内人士认为,本次富士康投资建厂的事情为真,生产晶圆也为真,只是先前曝光的金钱数目有误,因此本次青岛建厂可以说是板上钉钉的事情,只是富士康对此具体投入多少还有待商榷。

富士康造芯已有时日

事实上,青岛建厂并非是富士康造芯计划的开端。早在2017年,富士康就组建了半导体子集团,以发展其半导体业务。而在过去的两年里,富士康已与珠海、济南和南京等市,就参与当地芯片制造方面达成了多项协议。同时,长期以来富士康非常重视公司的半导体项目,在富士康2019年企业 社会 责任报告中可以清晰的看到,企业将IC设计、制程设计纳入了未来新产品重点研发方向。

未来何去何从

那么在未来,在青岛建厂后,富士康的造芯计划将如何发展,同时,这对于中国大陆半导体产业将会有哪些带动作用?孙建辉认为,此次富士康青岛建封装、测试厂,无论是于富士康本身而言,还是于中国半导体产业发展而言都是利好的。“富士康在青岛建厂,能够与青岛其他半导体企业形成优势互补,富士康在青岛专注封装、测试两个环节,这正是青岛半导体产业目前所欠缺的环节。可见,对于中国大陆半导体产业而言,这是一次极好的相互学习的机会,有益于大陆半导体的本地化芯片技术积累、帮助大陆本地集成电路产业升级。”

忙。

半导体封装键合工序忙是因为由于芯片制造方面的短缺,大多数半导体制造企业都在加紧生产,以满足当前市场需求。

半导体产品的加工工序多,在制造过程中需要大量的半导体设备。传统封装工艺大致可以分为背面减薄、晶圆切割、晶圆贴装、引线键合、塑封、激光打印、切筋成型和成品测试等8个主要步骤。

坑试验怎么做?附详解!在半导体封装工艺中,d坑试验是用来评估键合参数以及键合可靠性的。键合工艺使用的材料一般是金线,铜线或铝线,其中铝线一般是在大功率的产品中使用,铜线在解决了可靠性的问题之后应用也越来越多。d坑试验数据能够指导工艺工程等部门进行工艺设计改进,优化。FA 在进行这种分析时,针对不同的产品类型,一般采用什么样的方法呢?本文介绍几种常见的方法。

1. 铝 (Al bond pad)+ 金线键合(Au wire bond) 目的:分离金球(bond ball)与bond pad,用于检查分析 IMC 和bond pad 试剂:10% NaOH溶液 温度:室温 腐蚀时间:约5分钟 (取决于样品) 方法说明:该方法是利用铝的两性,通过碱性溶剂把金球和bond pad之间的铝层溶掉,最终把bond pad和金线分离出来,用于检查分析。在腐蚀铝层时,金线不会被腐蚀掉。溶液浓度可根据产品特点进行调整,也有用氢氧化钾的,但不宜用高浓度的碱进行腐蚀,需要控制好时间,否则会对芯片造成损伤。

2. 铝 (Al bond pad)+ 金线键合(Au wire bond) 目的:检查bond pad,不关注bond ball 试剂:碘化钾,单质碘,纯水, KI : I2 : DI =115g : 65g : 100g 温度:室温 腐蚀时间:10分钟~15分钟 (取决于样品) 方法说明:该方法是直接把金溶掉,最终把bond pad暴露出来进行检查分析,在腐蚀金的同时,bond pad上面的铝层也会被腐蚀掉。 特点是对金的腐蚀速率较快,缺点是腐蚀不掉的残留物有时较难去除干净。当然去除金的方法还有多种,比如王水,汞等,但王水的氧化性太强,对很多材料都有腐蚀性或者负面影响,汞属于毒性很强的物质一般也不常用,在冶金上面会用于提取金。

3. 铝 (Al bond pad)+ 铜线键合(Cu wire bond) 目的:分离铜球(bond ball)与bond pad,用于检查分析 IMC 和bond pad 试剂:10% NaOH 温度:室温 腐蚀时间:约5分钟 (取决于样品) 方法说明:该方法是用氢氧化钠溶解铝层,但氢氧化钠不会腐蚀铜线,最终可以把bond pad和铜线分离出来,可以检查bond pad和IMC,与金线IMC检查的方法一样。

4. 铝 (Al bond pad)+ 铜线键合(Cu wire bond) 目的:溶解铜线,用于检查分析 bond pad,不需要保证铜线的完整性 试剂:发烟硝酸 温度:室温 腐蚀时间:30秒~ 1分钟 (取决于样品) 这时可以进行bond pad的检查,此时铝层还在pad上,如果需要进一步把铝层去除,可以接着做下面一步: 试剂:HCL (37% ) 温度:50 °C 腐蚀时间:1分钟~ 3分钟 (取决于样品) 方法说明:该方法是用发烟硝酸直接溶解铜线,但由于铝具有钝化作用而得以保留,该方法分两步分别把铜线和铝层溶解掉,可以检查bond pad的铝层形貌以及去掉铝层后的芯片pad。


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