芯片三温测试目的

目的：

1、对芯片性能进行测试。

2、对芯片质量进行测试。

3、对芯片可靠性进行测试。

4、对芯片进行测功能验证、电参数测试。集成电路英语：integratedcircuit，缩写作IC；或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶片/芯片（chip）在电子学中是一种将电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。

三温产品测试方法的改进措施是击穿电压V自身温度漂移。二极管PN结本生具有一定的温度系数，正向压降VF为负温度系数，反向击穿电压V具有正温度系数，击穿电压的漂移系数约为1.7mV/℃。温度越高时，击穿电压V越大，这是硅材料PN结的物理特性之一，对单个硅PN结而言，该漂移无法消除。

可以用正向PN的负温度系数来补偿反向PN结的正温度系数，但对于击穿电压较高的PN结，需要补偿的正向PN结数量较多，因此该方法一般不用于击穿电压相对较高的二极管。

根据半导体理论，瞬变电压抑制二极管实际器件和理想PN之间存在一定的差异，主要表现在实际器件存在很多寄生效应上，如：欧姆结电阻、体电阻、电容效应、台面漏电流、封装材料绝缘电阻等。以上寄生效应中，电阻具有明显的温度特性，试验表明，这些电阻均具有正温度系数，温度越高电阻值越大。当电阻与二极管串联，流过一定电流时，两端的压降也越大。而电容效应仅限制器件的工作电压频率，在直流或低频电压信号下呈现的交流阻抗极大，可以忽略。

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