半导体材料的电阻的情变化情况

①：由于待测电阻的阻值较小远小于电压表内阻，所以电流表应用外接法；从数据表可知，电流从零调，所以变阻器应采用分压式接法，故电路图应是B；

②：从表中数据可知，温度越高（电流越大）时，求出的电阻越小，可判断元件是半导体材料；

③：在不断开电路情况下，检查电路故障时不能使用电流挡和欧姆挡，从表中数据可知最高电压是1.5V，所以应该使用直流电压2.5V挡；

由于黑表笔接在电压表的正极，所以将多用表的红、黑表笔与电流表“+”、“-”接线柱接触时，多用电表指针发生较大偏转，说明电路故障是电流表断路；

故答案为：①B；②半导体；③直流电压2.5V，电流表断路

因为在一定温度下，半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。

半导体的五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。

扩展资料

掺杂对半导体结构的影响：

1、掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同，本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶，而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。

2、掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施主与受主。施主原子带来的价电子大多会与被掺杂的材料原子产生共价键，进而被束缚。

3、掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值，这个特性会引出很多其他有用的电特性。

参考资料来源：百度百科-半导体

                      百度百科-半导体电阻率

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