请问半导体器件雪崩击穿发生之后，继续增加电压电流，器件是进入热击击穿？

这个说法是不准确。首先雪崩击穿和热击穿发生机理不同；热击穿是因为热而导致电流增大从而损坏；而雪崩击穿是因为反偏电压高而产生雪崩倍增效应从而导致损坏。 半导体器件雪崩击穿发生之后，继续增加电压电流，器件由于热而导致烧毁（而不是热击穿，此时未必发生热击穿）。另外雪崩击穿造成器件失效，失效的原因不是只有一个热的原因，还有的因为由于雪崩击穿而造成器件其他电特性参数变差。

导电好坏的判断可以根据单位电场（电压）下，电流的大小衡量。但如果说导电能力，则应该说由其电导衡量，由电导公式σ = nqμ + pqμ，则可看出由电子浓度和空穴浓度决定，因为材料的载流子迁移率在一定温度和电场（电压）下是恒定的。这样提高材料导电能力，可通过掺杂提高载流子浓度（电子浓度和空穴浓度），常温下硅本征载流子浓度为10^(10)/cm-3,一般重掺杂后载流子浓度为10^18/cm-3左右（常温下几乎全部电离），大幅度提高了半导体的导电能力（金属为10^22/cm-3左右）。望采纳！

1.宽禁带提高了工作温度和可靠性

宽禁带材料可提高器件的工作温度，6H-SiC和4H-SiC禁带宽度分别高达3.0eV和3.25eV，相应本征温度高达800℃以上即便就是禁带最窄的3C-SiC，其禁带宽度也达到2.3eV左右。用碳化硅做成功率器件，其最高工作温度有可能超过600℃，而硅的禁带宽度为1.12eV，理论最高工作温度200℃，但硅功率器件结温大于150℃~175℃后，可靠性和性能指标已经明显降低。

　2.高击穿场强提高了耐压，减小了尺寸

高的电子击穿场强带来了半导体功率器件击穿电压的提高。同时，由于电子击穿场强提高，在增加渗杂密度条件下，碳化硅功率器件漂移区的宽带可以降低，因此可减小功率器件的尺寸。

3.高热导率提高了功率密度

热导率指标越高，材料向环境中传导热的能力越强，器件的温升越小，越有利于提高功率器件的功率密度，同时更适合在高温环境下工作。

4.强的抗辐射能力，更适合在外太空环境中使用

在辐射环境下，碳化硅器件的抗中子辐射能力至少是硅的4倍，因此是制作耐高温、抗辐射的电力电子功率器件和大功率微波器件的优良材料。

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