如何解释四氧化三铁是一个本征点缺陷、N型半导体和磁性材料？？？

铸造铝镍钴是将融化的金属合金浇筑到模具里，然后通过热处理加工。由此铸造出来的磁铁呈现为暗灰色外观和粗糙表面。经过磨加工的铝镍钴产品表面具有类似钢铁般光亮的外观。铝镍钴磁铁可以在高温下工作。Alnico5在工业上运用最为广泛，可用于：机械,电机,仪表,传感器设备,吸力件等等。Alnico8和Alnico9具有更高的矫顽力，形状以圆柱和扇形为主，通常用于高科技领域：石油勘探，航空航天等。-----杭州萧山永磁材料生产研发

吸铁石的主要成分是四氧化三铁,四氧化三铁为反式尖晶石结构,属立方晶系,因二三价铁离子间存在快速电子传递,导电性稳定,电导率大约100S/cm,应该属于半导体的范畴。

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晶体缺陷主要应用在半导体上 1111 ZnO 过量的Zn 原子可以溶解在ZnO 晶体中，进入晶格的间隙位置，形成间隙型离 子缺陷，同时它把两个电子松弛地束缚在其周围，对外不表现出带电性。但这两个 电子是亚稳定的，很容易被激发到导带中去，成为准自由电子，使材料具有半导性。 3. 2 Fe3O4 Fe3O4 晶体中，全部的Fe2+离子和1/2 量的Fe3+离子统计地分布在由氧离子密堆 所构成的八面体间隙中。因为在Fe2+ — Fe3+ — Fe2+ — Fe3+— ……之间可以迁移， Fe3O4 是一种本征半导体[4]。 3. 3掺杂硅半导体掺杂硅半导体掺杂硅半导体掺杂硅半导体常温下硅的导电性能主要由杂质决定。在硅中掺入VA 族元素杂质（如P、As、Sb 等）后，这些VA 族杂质替代了一部分硅原子的位置，但由于它们的最外层有5个价电子，其中4 个与周围硅原子形成共价键，多余的一个价电子便成了可以导电的自由电子。这样一个VA 族杂质原子可以向半导体硅提供一个自由电子而本身成为带正电的离子，通常把这种杂质称为施主杂质。当硅中掺有施主杂质时，主要靠施主提供的电子导电，这种依靠电子导电的半导体被成为n 型半导体。 3.4 BaTiO3 半导瓷半导瓷半导瓷半导瓷在 BaTiO3 陶瓷中，人们常常加入三价或五价杂质来取代Ba2+离子或Ti4+离子来 形成n 型半导瓷。例如，从离子半径角度来考虑，一般使用的五价杂质元素的离子 半径是与Ti4+离子半径（0.064nm）相近的，如Nb5+=0.069nm，Sb5+=0.062nm，它们 容易替代Ti4+离子；或者使用三价元素，如La3+=0.122nm，Ce3+=0.118nm，Nd3+=0.115nm，它们接近于Ba2+离子的半径（0.143nm），因而易于替代Ba2+离子[5]。 由此可知，不管使用三价元素还是五价元素掺杂，结果大都形成高价离子取代，即 形成n 型半导体。 国内外学者对物质性能与缺陷的关系研究得相当多，它在包括激光、光电转换等许多方面都取得了可喜的进展，并有很好的应用前景。相信在作为21世纪科技高速发展的今天，晶体缺陷及其对晶体物理性质的影响必将能更大的发挥其功效，为材料领域带来可喜的成就与发展希望有所帮助

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