首先，中国政府加大了半导体产业的投资，引进了先进的技术，加快了半导体产业的发展，推动了中国半导体产业的崛起。其次，中国的半导体企业不断提升其产品的质量和技术水平，拓宽了其在全球市场的影响力，有力地推动了中国半导体产业的崛起。最后，中国政府还大力推行科技创新，支持半导体企业进行技术研发，进一步提高了中国半导体产业的竞争力，有力地推动了中国半导体产业的崛起。
综上所述，中国半导体产业的崛起是由政府大力投资、企业努力提升质量和技术水平以及科技创新等因素共同促成的。
中国一家民企华为，因为在5G领域一下子超越了美国，更因为没有在美国上市，美国也无法动用资本的手段来控制华为。
所以能拿到台面上的方法都无效之后，美国连借口也懒得找了，直接联合欧洲各芯片厂商封锁芯片供应，还有中国台湾的台积电，都加入到围堵华为的队伍中。
没有理由，只有目的，那就是想挤死华为，进而迟滞中国的5G产业发展。
而且这也不是美国唯一的手段，美国的铁杆盟友、五眼联盟的澳大利亚频频在国际事务中攻击中国。
为了拖慢中国崛起的步伐，美国似乎已经恼羞成怒，拉开了对中国极限施压的序幕！
华为承受了很大压力，因为芯片的断供，华为产能和销售额大幅缩水，手机在国内的市场占有率退出了前四，持续研发的资金也受到影响。
既然手机的芯片不卖给我们，那么，我们自己生产不可以吗？
答案是，不可以。
因为制造手机芯片所用到的7纳米制程的光刻机为荷兰阿斯麦尔公司（ASML）所有，而该公司也在美国的授意或威胁之下，不肯把光刻机卖给中国。
这一次随着华为被制裁，也曝出了一个令国人更加震惊的消息，原来在芯片行业让西方人高歌猛进的研发团队，竟然也是一群黄皮肤黑眼睛的人！
而对于如今要在半导体行业发力的中国而言，这是一个必须要予以深刻反思的问题。
中微半导体股份有限公司董事长兼总经理尹志尧说：全球芯片领域的专家，在芯片界排名前十的行业里，或者创始人、或者CEO竟然都是华人。
其中最著名的就是杨培东，杨培东出生于1971年，在国内完成大学学习后赴美留学，之后一直在美国工作，更是在2016年当选为美国科学院院士，在半导体制造领域拥有极高的权威。
正是这群人紧紧地扼住了中国芯片业发展的咽喉，限制了中国在5G通讯领域的发展。
在这里，我们并不能简单地把这类人归于不爱国的范畴而大加指责，因为这里有个矛盾，那就是国家的理想与个人理想之间的矛盾。
限于国家发展的共性规律，当年国内确实没有发展半导体的环境，为了自己能学有所成，他们选择了到海外发展，所以造成了我国在半导体领域的人才流失，导致美国芯片专家多数是华人的现象。
好在近几年，我国在芯片领域的布局，这类人才大量流失的情况有了一定改善。
当年我们为什么在实际上没有重视芯片
这么明显的命门，为什么就轻易被美国抓住呢？
说出来，令人心酸，不是中国人没看出来，因为二十年前，手机在我国悄然兴起，低廉的制造成本使它受到了青年人的追捧，以拥有一款小巧的手机为荣。
巨大的手机市场，催生了对芯片的强劲需求、芯片制造业一片大好。
但在1990年到2001年前后发生了几件事，让我国不得不重新审视国家的产业发展方向。
1993年7月23日，美国公然断掉GPS导航系统，在公海逼停我国银河号货轮，强迫银河号接受美国检查；
紧接着，2001年4月1日，在中国南海，我国的歼-8型81192战机被美国的一架EP-3电子侦察机撞损后坠海，飞行员王伟失踪。
这一系列的事件让我们认识到我国在国防、在军事上要比肩美国，还有很长的路要走。
那个时候，是发展综合性的军力国力最重要，还是发展几十年以后才有可能被打压的手机芯片重要？答案不言而喻。虽然国防军工也要芯片，但芯片不是全部。我们只能一步步解决。
一个小小的芯片怎么就会影响到国家的产业布局呢？
别看芯片小，它可是烧钱的行当，2000年，我国改革开放成效见长，国力有了很大增强，GDP突破10万亿大关，但是用钱的地方还是太多，一个指甲盖大小的芯片有多烧钱呢？
可以说，是越小越烧钱！
而且芯片的研发周期长，技术风险大，把钱砸进去，也不一定能看到结果，一旦研发方向出现错误，前期所有的钱就相当于丢进了水里，实在是一个烧钱烧到绝望的行业。
单以制造芯片所用到的光刻机举例就可以说明问题，就算是现在以一台EUV（极紫外）光刻机横行全球芯片业的荷兰阿斯麦尔公司（ASML），也是靠不断海量资金的融入才能维持产品的升级迭代研发。
阿斯麦尔公司为了筹集EUV光刻机的研发资金，于2012年提出“客户联合投资计划”：客户先通过注资的方式成为股东，然后拥有优先订货权。
也就是加钱抢票的意思。
通过这种手段，阿斯麦尔公司把研发资金的压力及风险转嫁到了客户身上。
谁也不知道，究竟要往“风险”里面砸多少钱，花多长时间，一旦公司实力稍差，在研发还未完成时，自己的公司就爆仓了，前期所投的钱也血本无归。
但客户们为了早人一步实现产品升级，也只好甘心情愿冒着被阿斯麦尔公司当杀猪盘的风险继续投资。
通过这一项计划，阿斯麦尔公司从美欧日手里筹来了53亿欧元资金，折合人民币500亿，占到了当年我国国防预算的7.4%。
听起来不多，但这仅是“首付”，之后还要源源不断地砸钱，其它相关产业如晶元的提取制作都得花钱，如果把钱都给了芯片，那么我们的高铁和北斗卫星的事关国防民生的项目又怎么能不受影响。
我们的国力决定我们只能有选择地发展而不能全面铺开。有些零部件只能暂时采取国际分工的方式，甚至暂时受制于人。
如果那个时候就去和美欧比烧钱，无疑会掉入他们的圈套。
但华为的崛起令世界都来不及反应！
美欧、甚至连我国自己都没想到，华为能成为通讯行业的一匹黑马，更成为5G领域的领头羊，这才是美国不能接受的。
在美国的印象中，本来觉得自己在通讯行业还能在原地等中国二十年，或者是十年。
没想到华为像头灰犀牛一样狂奔着冲到他们跟前，并很快把他们甩在身后。
美国人不敢再装绅士了，于是对华为痛下杀手，意图再次封印中国的 科技 发展。
建国后，我们的尖端 科技 一路狂奔，走到今天，可以说接近于西方，甚至有些地方还远远强于西方，比如华为手里的5G技术。
但越尖端的前沿 科技 越需要一个雄厚的产业链为之支撑。
一条产业链的模式大概是这样子的，原材料——粗加工——精加工——制造业——尖端 科技 。
这条产业链理想状态应是均匀的，由于我们在尖端 科技 这个链条上跑的太快，把精加工与制造业这两个链条相对性地拉细。
换言之，我国的精加工与制造业是赶不上高端 科技 的需求的。
这就是我们有求于美欧、日本的地方。
精加工与制造业就是支撑我们高 科技 发展的命门所在，在电子集成方面，我们被拉细的环节就是芯片制造业！
对此西方发达国家心知肚明，他们的制裁，像是一支箭射向了阿基琉斯之踵，芯片断供瞬间让华为遭遇巨大危机！
哀而不伤，痛而不亡的芯片断供
事实上，美国这一招确实狠辣，打痛了华为，但却打不死华为，更达不到拖慢我们在芯片业的发展脚步的目的。
说起来，有人可能不信，阿斯麦尔公司引以为傲的7纳米制程应用最多的地方也就是手机通讯行业，而对于国防角度来说，并不是太卡脖子的事。
就连美国人当年引以为傲的外星 科技 ——F-22上面使用的处理器——PowerPC-603E，1995年研发，其芯片制程还没有步入纳米级，尚处于微米级别，硬要换算成纳米大概也就是500纳米制程；
美军卖遍全球的“神机”——F-35战斗机，其搭载芯片制程45纳米，而现在我国的芯片水平已经攻入了28纳米甚至是14纳米制程以内了。
也就是说，满足我国国防需要的芯片，我们是能够造出来的。
其次，美国制裁华为，到底打疼了没有？确实打疼了，可是普通人有没有感觉到？相信很多人没有感觉到，因为除了华为手机，我们还有其他手机可选。
其实回过头来，才能看明白，二十多年前国家在权衡利弊后，做出的决策虽然艰难，却是正确的。
这种疼，有可能在二十年前国家就意识到了，但我们当时只能选择更加重要的方面。
因为手机如果没了华为，我们还可以选择其它手机，如果我国的北斗导航卫星没了，我们如何选择？如果我们的歼20没有了，我们该如何选择？如果我们的高铁没了，我们又该作如何选择？
相比之下，81192飞行员王伟，才是我们身上最痛的地方，是我们不能再忍受的。
所以二十年前选择国防、航天、高铁、粮食安全，忍痛做出暂时的取舍是正确的，为的是不再让银河号事件重演，不再让我们的国土受到侵犯。
其实我们早已悄悄发力
我们要一直放弃半导体芯片行业吗？当然不会。
2018年4月16日晚，美国商务部发布公告称，美国政府在未来7年内禁止中兴通讯向美国企业购买敏感产品。
换言之，是对中兴下达了封杀令。
短短一年后，又将q口对准了华为，并决心要彻底毁掉华为！
这一次我们并没有忍气吞声，国家的力量开始下场帮忙！二十年来欠芯片行业的，我们今天要还！
清华大学和西安 科技 大学开始开设半导体相关专业培养人才，其它知名大学也积极跟进，并与市场充分融合，虽然目前在光刻机等方面，与国际上还有相当大的差距，但却也以肉眼可见的速度在缩小。
大概从2009年开始，中国已经在芯片行业发力，一路攻坚克难，国产首套90纳米高端光刻机已经成功研制。
2020年6月，上海微电子设备有限公司透露，将在2021-2022年交付首台国产28nm工艺浸没式光刻机。
这个成果标志着国产光刻机工艺从以前的90nm一举突破到28nm，有了阶段性的飞跃。
差距还很远，但我们已经迎头追赶。
同样，我们在这个行业也准备弯道超车，我国光电所微细加工光学技术国家重点实验室研制出来的SP光刻机是世界上第一台单次成像达到 22纳米的光刻机，结合多重曝光技术，可以用于制备10纳米以下的信息器件。
这不仅是世界上光学光刻的一次重大变革，同时也意味着在光刻领域，我们找到了一条更为便捷的生产工艺，研发成本和周期进一步降低，其意义在于有可能抢到工业4.0的第一赛道。
虽然面对未来，我们还有更长的路要走，但毕竟我们是看到了曙光。
正如70年前，西方封锁核技术，但我们的原子d还是在罗布泊炸响。
十年前，封锁高铁、盾构机技术，但我们现在的高铁和地铁却世界一流！制出一流芯片，还会远吗？
我们青年对于国内芯片及光刻产业最大的支持，就是该学习的好好学习，将来投身于国家的芯片产业，发挥作用；
该工作的努力工作，为国家做贡献，只要不被国外的智库干扰了发展思路，不给国家添乱，我们就成功了。
为什么这一次遇到发达国家的打压，我们觉醒了，选择不再忍了？其实一切都是经济说了算。
因为2020年，除去疫情影响，我国的GDP是101.6万亿，人均GDP连续两年超1万美元。
是2000年的十倍。
占到美国经济发展总量的70%还多，手里更是握十万亿左右的外汇，甚至比美国人自己手里的现金都多，殷厚的家底才是我们反击的底气。
我们并不是觉醒，其实一直都睁着眼睛，看着敌视我们的国家在表演。
行业主要上市企业：目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)、三安光电(600703)、士兰微(600460)、闻泰科技(600745)、新洁能(605111)、露笑科技(002617)、斯达半导(603290)等。
本文核心数据：第三代半导体分类、SiC、GaN电子电力和GaN微波射频产值、SiC、GaN电子电力和GaN微波射频市场规模
行业概况
1、定义
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。
与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热频，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。
第三代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO)，其中，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)并称为第三代半导体材料的“双雄”，是第三代半导体材料的典型代表。
2、产业链剖析：产业链涉及多个环节
第三代半导体产业链分为上游原材料供应，中游第三代半导体制造和下游第三代半导体器件环节。上游原材料包括衬底和外延片中游包括第三代版奥体设计、晶圆制造和封装测试下游为第三代半导体器件应用，包括微波射频器件、电力电子器件和光电子器件等。中国第三代半导体行业产业链如下：
第三代产业链各个环节国内均有企业涉足。从事衬底片的国内厂商主要用露笑科技、三安光电、天科合达、山东天岳、维微科技、科恒晶体、镓铝光电等等从事外延片生产的厂商主要有瀚天天成、东莞天域、晶湛半导体、聚能晶源、英诺赛科等。苏州能讯、四川益丰电子、中科院苏州纳米所等从事第三代半导体器件的厂商较多，包括比亚迪半导体、闻泰科技、华润微、士兰微、斯达半导、扬杰科技、泰科天润等。
行业发展历程：兴起的时间较短
中国第三代半导体兴起的时间较短，2013年，科技部863计划首次阿静第三代半导体产业列为国战战略发展产业。
2016年，为第三代半导体发展元年，国务院国家新产业发展小组将第三半导体产业列为发展重点，国内企业扩大第三半导体研发项目投资，行业进入快速发展期。
2018年1月，中车时代电气建成国内第一条6 英寸碳化硅生产线2018年，泰科天润建成了国内第一条碳化硅器件生产线2019年9月，三安集成已建成了国内第一条6英寸氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)外延芯片产线并投入量产。在2020年7月，华润微宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。
2020年9月，第三代半导体写入“十四五”规划，行业被推向风口。
行业发展现状
1、产值规模逆势增长
随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。
2020年我国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值超过100亿元，较2019年同比增长69.5%。
其中，SiC、GaN电子电力产值规模达44.7亿元，同比增长54%GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.3%。
2、产能大幅增长但仍供应不足
根据CASA数据显示截至2020年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。
GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算 6 英寸产能约为22万片/年。
但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展，我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求，目前有超过八成产品依赖进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。
3、电力电子器件市场规模接近50亿元
2017-2020年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长，2020年，SiC、GaN电力电子器件应用市场规模为46.8亿元，同比增长90%。
2020年，我国半导体分立器件的市场规模约3002.6亿元，SiC、GaN电力电子器件的应用渗透率约为1.56%。
目前，GaN主要应用在射频及快充领域。SiC重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，第三代半导体器件在新能源汽车充电桩领域的渗透快于整车市场，占比达38%消费类电源(PFC)占22%光伏逆变器占了15%工业及商业电源、不间断电源UPS、快充电源、工业电机分别占6%、3%、3%、1%。
2020年，我国GaN微波射频器件市场规模约为66.1亿元，同比增长57.2%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元，成为GaN射频主要拉动因素。
国防军事与航天应用是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，2020年市场规模占整个GaN射频器件市场的53%其次是无线基础设施，下游市场占比为36%。
行业竞争格局
1、区域竞争格局：江苏省第三代半导体代表性企业分布最多
当前，我国第三代半导体初步形成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大重点发展区域。
从我国第三代半导体行业产业链企业区域分布来看，第三代半导体行业产业链企业在全国绝大多数省份均有分布。其中河南省第三代半导体企业数量分布最多，同时山东、江苏和甘肃等省份企业数量也相对集中。
从代表性企业分布情况来看，江苏省第三代半导体代表性企业分布最多，如苏州纳维、晶湛半导体、英诺赛科等。同时广东、山东代表性企业也有较多代表性企业分布。
2、企业竞争格局：主流企业加速扩张布局
经过初期的发展，第三代半导体迅速在新能源汽车、5G基站、PD快充等领域应用，市场规模增长迅速。同时，行业内的竞争也逐渐加剧。为了迎合市场需求，抢占市场地位，国内主流半导体企业均加强在第三代半导体产业的布局，扩充第三代半导体的产能。其中，代表性的主流企业有三安光电、中电科55所、泰科天润等。
行业发展前景及趋势预测
1、2025年行业规模有望超过500亿元
第三代半导体已经写入“十四五”规划。在国家政策的支持和下游需求增长的背景下，预计到2021-2025年，我国SiC、GaN电力电子器件应用市场将以45%的年复合增长率增长至2025年的近300亿元GaN微波射频器件市场规模将以25.4%的年均复合增长率增长至2025年的205亿元。2025年第三代半导体整体市场规模有望超过500亿元。
2、国产化进程将加速
未来，在市场竞争趋势方面，我国第三代半导体行业国产化率将会加深在细分产品发展趋势方面，SiC需求将会增长在技术发展趋势方面，大尺寸Si基GaN外延等问题将会有所进展。
以上数据参考前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》。
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