P型半导体材料包括哪些

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。 ）多子与少子是相对概念。如：在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称为“多子”；空穴为小数载流子，称为“少子”。而在P型中则相反。

纯净半导体是由硅组成的,由于导电能力弱,因此掺杂另外的元素,成为掺杂半导体.

N型半导体是用一个5价磷原子代替原来的四价硅原子,这样有4个电子与周围4个硅原子组成共价键后,剩余一个电子,因此形成以电子为多数载流子的N型半导体.

同理,用三价铝原子代替硅原子,形成P性半导体

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