具体原理是：1通过闪光灯照射手指，使得手指的毛细血管显现出来，再用摄像头捕捉图像，最后用软件分析图像的变化（主要是局部明暗变化）来确定脉搏。2虽然不能作为精确的医疗器具，但是一般情况下还是挺准的。3可能受到的干扰包括但不限于：外界环境光突然

多大电流会电死人，与每个人的体质有关。一般来说，漏电保护器设计为15毫安01秒，这个是偏于安全的。超过50毫安的电流就基本上能够电死人了，一毫安的电流，人就可以有明显感觉了。一般认为36伏电压对任何人都安全，但是也有特例，被36伏安全电压电

1；单位正电荷在电场中某一点所具有的势能称作电位。电压是两点间的电位差，即单位正电贺从电场中的某一点移到另一点时电场力所做的功。电压是指电路中某一点的势能，而电压是两点间的电位差。电位的高低与我们所选择的参考点有关系，当电位的参考点改变时，

国内正常的电压是220伏。电压（voltage），也被称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。电压在某点至另一点的大小等于单位正电荷因受电场力作用从某点移动到另一点所做的功，电压的方向规定为从高电位指

近几年，由于轻钢结构建筑物造型美观大方、建设周期短、工程造价低等优点，因而广泛应用与各类工业厂房、仓库、体育馆等场所。而金属板屋面容易遭受雷击，与普通砖混结构、框架结构建筑物的防雷设计有所不同。结合一钢结构车间的防雷设计，针对金属屋面防雷设

苹果手机延迟几秒拍照的设置方法：工具／原料：iPhone12、iOS15、相机设置1.01、打开相机。2、点击屏幕上方延迟拍照图标（时钟图标）。3、可以看到可以设置延迟时间3秒和10秒以及关闭延迟拍照。4、本例我们选择10秒，并点击正下

一种方法是使用容量大于50KVA的三相交流稳压电源，因为电机的启动电流很大。还有一种方式是使用变频器，可以解决启动困难和运行发热的问题，可以实现低频启动和高频运行。根据电源电压选择变频器，并联系变频器制造商。如果你的电压太低，逆变器可能无法

电压ac代表交流电，电压dc代表直流电。ac交流电流的全称为Alternating Current，电流方向随时间作周期性变化的是交流，1个周期内的运转平均值为零。dc直流电全称为Direct Current，也称为“恒流电”。恒流是直流的

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USB接口有四根线，为VCC、D+、D-、GNDVCC为+5V电源，GND为地线，单纯供电的话5V单片机只接这两根线就够了D+和D-是USB协议的通信线，下载程序的数据靠这两根线传输。由于USB采用差分信号传输，和TTL电平不匹配，所以US

心脏中的电脉冲起源于窦房结并穿过原有的传导系统到达心肌。脉冲激发心肌纤维的收缩并引起心肌收缩。心肌产生的微小电流传到皮肤表面。人体心肌产生的电信号传导到体表以后，由于在体表分布的不同而产生电位差，将这种电压只有毫伏级别的电位差滤波放大，就得

一　实验目的1．熟悉UJ24箱式电位差计的使用；2．掌握用电位差计校正电压表的方法。二实验仪器UJ24型直流高电势电位差计（参阅P14）直流稳压电源BC3型饱和标准电池（参阅P37）被校准电压表ZX21型电阻箱或定值电阻（参阅P32）滑线变

硅的原子密度为5*10^22cm-3,掺入1%的As后,若杂质全部电离,则室温下载流子浓度为：多数载流子（电子）n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3少数载流子（空穴）p=ni^2n=0.45cm-3一定的电荷转

空穴型半导体又称P型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯硅中掺入微量的铟或铝，由于铟或铝原子最外层有3个电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。掺杂和

pn结的内建电势差计算公式为第一种形式：VD=kTq*ln(nno*ppon²i) ①VD 内建电位差T 绝对温度值q 电子电荷量绝对值nno n型半导体电子浓度ppo p型半导体空穴浓度ni 本征半导体电子浓度第二种形式：VD=kT

半导体散热能用保护套。据查询相关公开信息得知：有效果但是效率大大下降，用导体散热器是需要把手机壳拿下来的，不把手机壳拿下来，那么它贴在手机壳上，到时候它的散热效果就会大打折扣。散热手机壳可搭配半导体散热器把半导体温度传遍整个手机进行降温。在

PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的。结深这个概念主要在太阳能电池的PN结里面提到的比较多，因为晶体硅电池的PN结是在P型沉底的硅片上表面上扩散一层很薄的N型半导体一般只有0.3-0.5um 这个N型薄层的厚度就叫做结深！pn结的内建

半导体荷重钢构基座的作用提高工作效率，保持机械平稳运行。因为半导体制造工艺复杂，各个不同环节需要的设备也不同，从流程分类来看，半导体设备主要可分为硅片生产过程设备、晶圆制造过程设备、封测过程设备等。这些设备分别对应硅片制造、集成电路制造、封

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正