(1) 降低硬度,改善切削加工性.
(2)降低残余应力,稳定尺寸,减少变形与裂纹倾向;
(3)细化晶粒,调整组织,消除组织缺陷。
(4)均匀材料组织和成分,改善材料性能或为以后热处理做组织准备。
在生产中,退火工艺应用很广泛。根据工件要求退火的目的不同,退火的工艺规范有多种,常用的有完全退火、球化退火、和去应力退火等。
扩展资料:
退火技术:
1、半导体退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时,高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子发生位移,结果造成大量的空位,将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区。
所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火,以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时,退火还有激活施主和受主杂质的功能,即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C,比热扩散掺杂的温度要低得多。
2、蒸发电极金属退火
蒸发电极金属以后需要进行退火,使得半导体表面与金属能够形成合金,以接触良好(减小接触电阻)。这时的退火温度要选取得稍高于金属-半导体的共熔点(对于Si-Al合金,为570度)
参考资料来源:百度百科-退火
激光退火技术开始主要用于修复离子注入损伤的半导体材料,特别是硅.传统的加热退火技术是把整个工件放在真空炉中,在一定的温度(300°~1200℃)保温退火10~60min。 可控硅又叫晶闸管,是晶体闸流管(Thyristor)的简称,俗称可控硅,指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现的一种是硅控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR),中国大陆通常简称可控硅,又称半导体控制整流器,是一种具有三个PN结的功率型半导体器件,为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电,即与一般的二极管相比,可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流(电压)控制大电流(电压)作用,并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点,广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。1、什么叫退火炉:退火炉是机械行业中的热处理设备其中的一种,其目的是使经过铸造、锻轧、焊接或切削加工的材料或工件进行软化,降低硬度改善塑性和韧性,使化学成分均匀化,去除残余应力,或得到预期的物理性能。2、退火炉原理:退火炉是将金属机件放在不同的加热炉内缓慢加热到一定温度,保温一段时间,然后以适宜速度冷却(通常是自然冷却,有时是控制速度冷却)的一种金属热处理工艺。2、退火炉的炉型: ①网带式退火炉、②井式退火炉、③罩式退火炉、④箱式退火炉等。3、常用的退火工艺有: ①完全退火。②球化退火。③等温退火。④再结晶退火。⑤石墨化退火。⑥扩散退火。⑦去应力退火。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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