IV分析仪是什么？在MULTISIM的仪器仪表栏中的。求其用途

IV 分析仪，又称为伏安特性分析仪，主要用于测试半导体器件伏安特性曲线，比如二极管、NPN管等，是以Windows为基础的仿真工具Multisim的测试仪器。

整个 *** 作界面就像一个电子实验工作台，绘制电路所需的元器件和仿真所需的测试仪器均可直接拖放到屏幕上，轻点鼠标可用导线将它们连接起来，软件仪器的控制面板和 *** 作方式都与实物相似，测量数据、波形和特性曲线如同在真实仪器上看到的。

其图标上有三个连接端口，选择器件类型（比如二极管或三极管）之后，面板的连接端口会有相应的连接提示，按提示连接即可。

IV分析仪主要用途：可以观察晶体管高电压、大电流特性，也可以了解晶体管低电压、小电流特性或者其他局部细节。

扩展资料：

IV特性曲线：

伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U，以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。伏安特性曲线是针对导体的，也就是耗电元件，图像常被用来研究导体电阻的变化规律，是物理学常用的图像法之一。

电源伏安特性曲线图线面积的意义：

在电源的伏安特性曲线上取一点，则该点的横坐标表示干路中的电流，纵坐标表示电源的路端电压；由该点分别向两坐标轴作垂线，则此垂线与两坐标轴所围的面积表示电源的输出功率。

电源伏安特性曲线与电阻伏安特性曲线交点的意义：

对于某一定值电阻R，其电压与电流成正比，即U=IR，在U-I直角坐标系中，其伏安特性曲线为一条过原点的直线，此直线与电源伏安特性曲线的交点表示了闭合电路的工作状态。

参考资料来源：百度百科-multisim

参考资料来源：百度百科-伏安特性曲线

为满足科研领域和工业质量控制方面应用的需要，TS-W系列激光粒度分析仪正是为了满足用户上述新要求而精心研制开发的最新一代激光粒度分析仪。该仪器集先进激光技术、半导体技术、光电技术、微电子技术和计算机技术的应用，综合了光、机、电、计算机于一体，以光散射理论为基础的颗粒粒径测量技术突出的优点逐步取代了一些传统的常规测量方法，所以激光粒度分析仪磁场较强大，而稳压电源无强磁场干扰，所以不会与该产品产生干扰。

1.朗伯-比尔定律

因此，TDLAS技术是一种高分辨率的光谱吸收技术，半导体激光穿过被测气体的光强衰减可用朗伯-比尔（Lambert-Beer）定律表述式中，IV，0和IV 分别表示频率V的激光入射时和经过压力P，浓度X和光程L的气体后的光强；S（T）表示气体吸收谱线的强度；线性函数g（v-v0）表征该吸收谱线的形状。通常情况下气体的吸收较小，可用式（4-2）来近似表达气体的吸收。这些关系式表明气体浓度越高，对光的衰减也越大。因此，可通过测量气体对激光的衰减来测量气体的浓度。

2.光谱线的线强

气体分子的吸收总是和分子内部从低能态到高能态的能级跃迁相联系的。线强S（T）反映了跃迁过程中受激吸收、受激辐射和自发辐射之间强度的净效果，是吸收光谱谱线最基本的属性，由能级间跃迁概率经及处于上下能级的分子数目决定。分子在不同能级之间的分布受温度的影响，因此光谱线的线强也与温度相关。如果知道参考线强S（T0），其他温度下的线强可以由下式求出式中，Q（T）为分子的配分函数；h为普朗克常数；c为光速；k为波尔兹曼常数；En为下能级能量。各种气体的吸收谱线的线强S（T0）可以查阅相关的光谱数据库。