压阻式传感器是利用半导体材料的压阻效应和什么工艺制成的传感器

集成传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。

压阻式压力传感器又称扩散硅压力传感器，是压力式传感器的一种。

压阻效应（piezoresistive effect），物理现场，是指当半导体受到应力作用时，由于应力引起能带的变化，能谷的能量移动，使其电阻率发生变化的现象。

它是C.S史密斯在1954年对硅和锗的电阻率与应力变化特性测试中发现的。半导体压阻传感器已经广泛地应用于航空、化工、航海、动力和医疗等部门

单晶硅时要被选择作为在模拟-数字电路，设计所用的材料中的一种1954由CS史密斯硅和锗的多次发现大的压阻效应。从那时起，它已被广泛用作压力传感器和应变传感器。

半导体中的压阻效应

半导体的压阻效应可能比几何效应大几个数量级，并且在诸如锗，多晶硅，非晶硅，碳化硅和单晶硅等材料中发现。这使得可以制造具有非常高灵敏度的半导体应变仪。

在精确测量中，半导体应变仪通常比金属应变仪对环境条件（尤其是温度）更敏感，并且难以 *** 作。

以上内容参考：压阻效应 - 百度百科