半导体1麦是0.0254毫米。
1麦说的是1mil,mil是英制单位1mil=0.0254毫米=25.4um(微米)。 微米与常用的单位换算:1m = 10³mm,1m = 100cm,1cm = 10mm,1mm = 10³um,1um = 10³nm,1nm =10³pm。
微米um是我们常用的长度单位,很多重要的场合都会使用到,它是很短的长度,所以特别在一些要求很精确的地方微米就是一个极其重要的长度了。
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在消费电子、通信系统、医疗仪器等领域有广泛应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。
产品介绍
无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。
常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。
(1)集成电路前工艺设备根据其工艺性质,主要有以下几种。外延炉:用于外延材料生长。氧化扩散设备:用于制取氧化层和实现掺杂。制膜设备:主要有电子束蒸发台、磁控溅射台、等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)设备。离子注入机:用于高精度掺杂,根据注入能量、束流大小和硅片尺寸不同有多种规格。 腐蚀、刻蚀设备:主要AD7890BN-4有化学湿法腐蚀和等离子体化学干法刻蚀设备,干法刻蚀具有良好的选择性和定向性。光刻设备:有匀胶机、曝光机、显影设备、坚膜烘焙机等设备。纯水制取设备:用于为工艺生产提供纯净无杂质、无细菌的水。环境控制设备:包括水、风、电、气、冷、湿、暖七大类型,主要是为集成电路生产提供洁净的环境,必要的动力和恒定的温度、湿度。在线检测仪器:主要用于检验、测控集成电路制造过程中的各种工艺参数,主要有膜厚测量仪、结深测量仪、C-V特性测量仪、C-T特性测量仪、薄膜应力测试仪、表面缺陷检查仪、激光椭偏仪、线宽测量仪、电子显微镜、原子力显微镜等,还有各种放大倍率的光学显微镜、晶体管特性图示仪等部分常规仪器。(2)后工艺的主要设备有以下几种。裂片机:主要用于对加定完毕的硅片上的集成电路进行分割,压焊机:包括有超声、金球焊接设备,实现管芯内部引线端与外管壳外引线的电气连接。封装设备:按不同工艺,有储能对象机、平行封焊机、玻璃熔封设备、塑封机以及激光电子束封贴机等。老化筛选设备:有高/低温箱,静/动态老化台,各种测试仪器、仪表、离心、振动等设备。um和μm一样。μm,是长度单位“微米”。如果在百度上,有时也把μ打成u(直接用键盘上的按键)。你在一个产品标准中看到厚度**um,应是“μm”,在产品说明中不应出现这样的错误。
换算:1000微米=1毫米。100微米=0.1毫米。10微米=0.01毫米。1微米=0.001毫米。
从迄今为止的研究来看,关于纳米技术分为2种概念:
第一种,是1986年美国科学家德雷克斯勒博士在《创造的机器》一书中提出的分子纳米技术。根据这一概念,可以使组合分子的机器实用化,从而可以任意组合所有种类的分子,可以制造出任何种类的分子结构。这种概念的纳米技术还未取得重大进展。
第二种,是把纳米技术定位为微加工技术的极限。也就是通过纳米精度的"加工"来人工形成纳米大小的结构的技术。这种纳米级的加工技术,也使半导体微型化即将达到极限。
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