nw和dnw工艺的区别

DNW先做，NW后做。DNW在下方，NW在四周，他们共同作用实现对内部的包围从而起到隔离的效果。加上DNW后，内部区域的所有NW实际上都通过下方的DNW连在了一起。掺杂也不一样，NW掺杂直接影响P管的性能，DNW掺杂的要求应该低一些。这些看看foundry的文档应该能弄清楚了。DNW浓度应该会相应低，有些工艺会用DNW耐高压。用途也不同，一个给PMOS用，一个用于隔离NMOS用的Pwell和Psub用，所以掺杂什么的都不太一样。

【使用指导】

可常温保存，如果在冰柜中0~10度放置，则在常温下静置至少1小时，再进行施胶。

点胶方式：请使用注射器或涂敷设备。喷嘴内径需在0.21mm以上。

使用注意事项：

A、使用前搅拌：保管过程中导电填充物有时会沉降，所以请在使用前充分搅拌直至均匀。

B、关于开盖： 本品平时保管在冰箱、冷冻库中，如果在此状态下开盖易使内容物质结露，所以请在室温条件下开盖。

C、关于固化不良：固化前如接触或混合了水、硫磺、磷、氮化合物、有机金属盐等催化毒物一类物质，有可能引起硬化不良，所以请务必注意。

表中给出的固化参数在精密烘箱中适用，如固化不良，提高温度或延长时间，可充分固化。

D、关于产品安全性的详细信息，请参照产品安全数据表（MSDS）。

简介：苏州硅能半导体科技股份有限公司注册于2007年11月12日，注册资本5000万人民币。已开发的产品包括大功率MOSFET、沟槽式肖特基、射频功率晶体管、IGBT和功率集成电路，并广泛应用于电动车电机、笔记本等数码产品、锂电保护、Adaptor、太阳能（LED）、航模、工业开关控制（UPS）、变频器、通讯设备等等各种电源转换控制，采用代理和直销模式建立了完善的市场销售渠道，3年内营销过亿元。

法定代表人：杨小平

成立时间：2007-11-12

注册资本：4450万人民币

工商注册号：320000000044851

企业类型：股份有限公司(非上市)

公司地址：苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室、NW20幢503室、NW13幢202室

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