1 |
r′ |
根据欧姆定律得:
U |
R0 |
E |
R0+r′+r |
E |
R0+r′+r |
由①②整理得:U=
ER0 | ||
R0+
|
由数学知识知,U越大,c越大,但两者不成正比.故B正确.
故选B
做Si集成电路的fab里,你列举的这些都用的到。硅烷和笑气,长氧化硅时候用。
HCL:清洗wafer的时候用。
CF4:蚀刻Si和氧化硅的时候用。
SF6:蚀刻Si的时候用。
其他还有BCl3, Cl2, Ar差不多都是蚀刻的使用。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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r′ |
根据欧姆定律得:
U |
R0 |
E |
R0+r′+r |
E |
R0+r′+r |
由①②整理得:U=
ER0 | ||
R0+
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由数学知识知,U越大,c越大,但两者不成正比.故B正确.
故选B
做Si集成电路的fab里,你列举的这些都用的到。硅烷和笑气,长氧化硅时候用。
HCL:清洗wafer的时候用。
CF4:蚀刻Si和氧化硅的时候用。
SF6:蚀刻Si的时候用。
其他还有BCl3, Cl2, Ar差不多都是蚀刻的使用。
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