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一方面,不同介质(半导体、金属之类)的禁带宽度不同,费米能级的位置也不同;另一方面即使相同的半导体由于掺杂的差异,其费米能级所处的位置也不一样。一般情况,结的形成会导致两个不同介质的费米能级处于同一水平,费米能级位置不同却最后处于同一水平,那么两个介质的价带和导带必然不处于同一能级,这个能级的差距就是势垒。所以你的理解在通常情况下还算准确。势垒就是个能量差,越大就需要粒子获取或释放更大的能量,比如可以让载流子更易通过,也可能不易通过,也可能向隧穿器件一样故意搞高势垒从而引发隧穿效应,这个你要细了解真得看看书,太多了。上面说的也只是通常的情况,还有很多特殊的器件不能这么简单解释,而且电场也会影响能级和势垒。金属与半导体之间的接触势垒是"肖特基势垒". 它与其他半导体之间的接触一样,形成PN结、空间电荷区(耗尽层)和接触势垒; 它与其他半导体之间的接触不一样之处是:它的空间电荷区(耗尽层)在金属的一侧特别薄. 接触势垒也叫接触电势差,它阻止接触双方的多子,继续向对方扩散.只有加上正向电压时,这种“扩散”才可以继续进行,产生电流.
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