真空腔体的内壁表面吸附大量的气体分子或其他有机物,成为影响真空度的放气源。为实现超高真空,要对腔体进行150—250℃的高温烘烤,以促使材料表面和内部的气体尽快放出。烘烤方式有在腔体外壁缠绕加热带、在腔体外壁固定铠装加热丝或直接将腔体置于烘烤帐篷中。
近两年,我国半导体行业的发展速度很快,但和美国等 科技 巨头相比较,技术仍是落后别人,但是国内产生所自研的技术、设备都能达到世界领先水平。最成功的案例莫过于蚀刻机设备,国内芯片企业所自研的蚀刻机已打破海外的技术垄断。
很多人都不清楚,蚀刻机的重要性并不低于光刻机,两者皆是生产高端芯片的重点设备。
但是,我国的光刻机设备一直处于十分落后的状态,很难让国内半导体厂商生产出高端芯片工艺。而蚀刻机在我国却是特别先进,用于下一代新高端工艺芯片生产,也是绰绰有余。
据了解,中微半导体的所自研的高精度蚀刻机已达到5nm,是国内半导体高端设备的顶尖存在,更是国际半导体行不可忽视的力量。在全球半导体设备企业满意度调查中,中微半导体公司排进世界第三,这也说明很多客户对于中微半导体产品是非常认可的。
要知道,中微半导体之所可以取得今日的巨大成就,完全离不开中微半导体创始人尹志尧,尹志尧拥有200多项各国专利和86项美国专利,而在美国硅谷也是具有一定影响力的华人之一。60岁时的尹志尧身披荣誉,决定携带团队回国创业。
尹志尧携团队回国,创办了中微半导体公司,并且展开对蚀刻机设备的研发,仅仅几年时间,中微半导体企业便自研出第一代介质刻蚀机,该蚀刻机采用单独 *** 作双反台,该设备相比其它蚀刻机效率提升了30%,中微半导体也在市场上获得了好名声。
随着中微半导体的创新技术不断产出,在一段时间当中,中微半导体毅然遭到了美国技术的封锁,直到2015年期间,美国才放弃对中微半导体公司的技术封锁。
中微半导体成立的第11年,中微半导体再次自研出首台最先进的5nm刻蚀机,自此,中国的5nm蚀刻机在全球确立了5nm刻蚀机技术的地位领先。
现如今的中微半导体5nm蚀刻机设备已和台积电等芯片代工企业采购,目前,对于国内的芯片产业链来看,中微半导体已经可以长久的供应技术维持。
对于中微半导体公司的未来发展你怎么认为?
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