半导体opc工程师需要干什么

半导体opc工程师岗位职责：

1.根据工作计划、项目目标和要求，指导OPC技术开发。

2.组织实施与OPC和光刻模拟技术相关的重点项目研发，进行技术攻关。

3.撰写并提交技术报告、工作报告，并归档。

4.协助其他模块和集成工程师，解决重点工艺难题。

5.解决紧急出现的重大工艺难题。

6.对相关人员进行OPC和光刻模拟前沿技术培训。

任职资格：

1.本科以上学历，物理学、光学、微电子学、计算机科学相关专业。

2.十年以上相关工作经验。

3.精通OPC技术开发的流程和规则，精通OPC模型建立、OPC菜单建立及OPC验证流程；精通Synopsys、Mentor或Brion等OPC相关EDA软件；熟悉Linux系统及软件编程。

深入理解各个工艺技术节点所需的OPC解决方案及其对应的光刻技术，如RBOPC，MBOPC，RBAF，PW OPC，PW LRC，HSF，DPT，DFM，Immersion等。

4.深刻理解OPC在图形化工艺中的作用和影响，精通光学成像原理，熟悉OPC相关光刻材料及设备。

5.熟悉半导体器件物理基础知识，熟悉工艺集成基础知识和流程及相关工艺模块（如刻蚀等），熟悉版图设计和tapeout。

特约撰稿 莫大康 推动半导体业进步有两个轮子，一个是工艺尺寸缩小，另一个是硅片直径增大，而且总是尺寸缩小为先。由半导体工艺路线图看，2013年应该进入14纳米节点，观察近期的报道，似乎已无异议，而且仍是英特尔挑起大樑。尽管摩尔定律快“寿终正寝”的声音已不容置辩，但是14nm的步伐仍按期走来，原因究竟是什么? 传统光刻技术与日俱进 当尺寸缩小到22/20nm时，传统的光刻技术已无能力，必须采用辅助的两次图形曝光技术。 提高光刻的分辨率有3个途径：缩短曝光波长、增大镜头数值孔径NA以及减少k1。显然，缩短波长是最主要的，而且方便易行。目前市场的193nmArF光源是首选，再加入浸液式技术等，实际上达到了28nm，几乎已是极限(需要OPC等技术的帮助)。 所以Fabless公司NVIDIA的CEO黄仁勋多次呼吁工艺制程在22/20nm时的成本一定相比28nm高。其理由是当工艺尺寸缩小到22/20nm时，传统的光刻技术已无能为力，必须采用辅助的两次图形曝光技术(DP)。从原理上讲，DP技术易于理解，甚至可以3次，或者4次。但是这样带来两个大问题，一个是光刻加掩模的成本迅速上升，另一个是工艺的循环周期延长。所以业界心知肚明，在下一代光刻技术EUV尚未到来之际，采用DP是不得已而为之，实际上在技术上的可行性并不是问题，更多的是要从经济层面做出取舍的决定。 193nm光刻技术在计算的光刻技术辅助下，包含两项关键的创新，一个是同时带OPC(光学图形修正)的两次图形曝光技术，另一个是采用一种倒转的光刻技术来改善困难的布局复制，可以在局部区域达到最佳化。 因此可以相信，传统的193nm浸液式光刻技术加上两次图形曝光技术(DP)，甚至4次，从分辨率上在2015年时有可能达到10nm，这取决于业界对于成本上升等的容忍度。 7nm还是5nm 除了工艺尺寸缩小之外，产业尚有多条路可供选择，如450mm硅片、TSV 3D封装等。 何时能够达到7nm或者5nm，截至今日尚无人能够回答，因为EUV何时进入也不清楚。乐观的估计可能在2015年或2016年。如果真能如愿，可能从10nm开始就采用EUV技术，一直走到5nm。但是目前业界比较谨慎，通俗一点的说法仍是两条腿走路。在今年的Semicon West上各厂家的反应也是如此。Nikon正努力延伸193nm的浸液式技术，甚至包含450mm硅片而ASML由于获得英特尔、三星及台积电的支持，正加快NXE 3300B实用机型的发货。 据说已经有6台NXE 3100 EUV设备在客户处使用，累积产出硅片已达44000片。另外，下一代EUV设备NXE 3300B已开始安装调试，计划2013年共发货5台，另有11台NXE 3300B的订单在手及7台订单在讨论中。 ASML正在准备450mm光刻机，它是客户共同投资计划中的一部分。公司有信心将3台EUV的营收落实在2013年的销售额之中。 ASML在2013年展览会的演讲中详细描绘了业界期待已久的EUV光源路线图，近期Cymer公司已推出了专为ASML光刻机配置的40W极紫外(EUV)光源，工作周期高达每小时30片，并计划在2014年时NXE 3300B中的光源升级达到50W，相当于43WPH水平。而100W光源可能要等到2015年或2016年，相当于73WPH。至于何时出现250W EUV光源，至少目前无法预测，除非等到100W光源成功，并有出彩的表现。500W光源写进路线图中是容易的，但是未来能否实现还是个问题。 只要实现73WPH，可以认为EUVL已达到量产水平，因为与多次曝光技术相比，它的成本在下降。在10nm节点以下如果继续釆用MP多次曝光技术，则可能需要4x甚至8x的图形成像技术。 因为从理论上讲，硅晶格大小约0.5nm，通常大于10个晶格尺寸，即约5nm时，才可能有好的硅器件功能，所以可以认为5nm是工艺尺寸的最终极限。预测在2024年以后半导体产业可能发生革命性变化，电荷不再是传输信息的唯一载体，同时计算架构也可能发生革命。 另外，ASML、IMEC及Applied Materials等共同协作，认为采用EUV技术有可能达到小于7nm，由于EUV技术同样也可采用DP两次图形曝光技术来提高分辨率。 随着半导体产业的继续发展，之后的每一个工艺节点进步都要付出极大的代价，要求达到财务平衡的芯片产出数量巨大。现在市场上已很难找出几种能相容的产品，因此未来产业面临的经济层面压力会越来越大。然而除了尺寸缩小之外，产业尚有多条路可供选择，如450mm硅片、TSV 3D封装，FinFET结构与III-V族作沟道材料等，此外还有应用商店。而站在客户立场，他们并非知道芯片的内部构造，仅是需要价廉、实用，而又方便使用的电子终端产品。

OPC(OLE for Process Control）, 用于过程控制的OLE，是一个工业标准。

OPC全称是Object Linking and Embedding（OLE） for Process Control，它的出现为基于Windows的应用程序和现场过程控制应用建立了桥梁。在过去，为了存取现场设备的数据信息，每一个应用软件开发商都需要编写专用的接口函数。

由于现场设备的种类繁多，且产品的不断升级，往往给用户和软件开发商带来了巨大的工作负担。通常这样也不能满足工作的实际需要，系统集成商和开发商急切需要一种具有高效性、可靠性、开放性、可互 *** 作性的即插即用的设备驱动程序。

在这种情况下，OPC标准应运而生。OPC标准以微软公司的OLE技术为基础，它的制定是通过提供一套标准的OLE/COM接口完成的，在OPC技术中使用的是OLE 2技术，OLE标准允许多台微机之间交换文档、图形等对象。

扩展资料：

OPC有以下3个特点：

1、计算机硬件厂商只需要编写一套驱动程序就可以满足不同用户的需要。硬件供应商只需提供一套符合OPC Server规范的程序组，无需考虑工程人员需求。

2、应用程序开发者只需编写一个接口程序便可以连接不同的设备。软件开发商无需重写大量的设备驱动程序。

3、工程人员在设备选型上有了更多的选择。对于最终用户而言，可以根据实际情况的不同，选择符合实际的设备。

参考资料来源：百度百科-opc（工业标准OLE for Process Control）

参考资料来源：百度百科-OPC技术

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