半导体催化剂在晶体结构上有什么不同

半导体催化剂在晶体结构上有什么不同

晶体是有明确衍射图案的固体，其原子或分子在空间按一定规律周期重复地排列。晶体中原子或分子的排列具有三维空间的周期性，隔一定的距离重复出现，这种周期性规律是晶体结构中最基本的特征。

晶体和非晶体的区别

1、结构区别

晶体都具有规则的几何形状，而非晶体没有一定的几何外形。

2、各向异性

晶体的各种物理性质，在各个方向上都是不同的，即各向异性；非晶体则显各向同性。

3、熔点

晶体必须到达熔点时才能熔解，而非晶体在熔解的过程中，没有明确的熔点，随着温度升高，物质首先变软，然后逐渐由稠变稀。

4、对X射线的衍射

晶体可对X射线发生，非晶体不可对X射线发生衍射，当单一波长的X-射线通过晶体时，会在记录仪上看到分立的斑点或明锐谱线。而在同一条件下摄取的非晶体图谱中却看不到分立的斑点或明锐谱线。

Anisotropic Etch 主要是在etch的时候对材料的各个方向的腐蚀速度不一样~比如说硅，用KOH对100向和110向的硅蚀刻的时候，速度就完全不一样~100会快很多~

Dry etch的话，主要是将一些气体电离成离子态，然后用电磁加速打向目标，与目标材料反应~

其实我觉得你说的这两个东西其实不是一个横向可比的东西。。

etch可以根据腐蚀是否有方向性分为 Anisotropic 和 Isotropic两种。

如果以用作蚀刻的材料来分，可以分为wet（比如上面说的KOH）和dry（典型是RIE，Reactive Ion Etch）两种。

如果硬要比的话，dry etch要比anisotropic etch好，因为dry etch可以提供一个非常好的side wall~就是说蚀刻后的那个洞的内壁和底部可以做到几乎垂直~不过具体效果要看dry etch的方法和材料以及目标材料~

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