因为在一定温度下,半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时半导体具有一定的载流子密度,从而具有一定的电阻率。温度升高时,将产生更多的电子空穴对,载流子密度增加,电阻率减小。
半导体的五大特性∶掺杂性,热敏性,光敏性,负电阻率温度特性,整流特性。在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。
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掺杂对半导体结构的影响:
1、掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同,本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶,而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。
2、掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施主与受主。施主原子带来的价电子大多会与被掺杂的材料原子产生共价键,进而被束缚。
3、掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值,这个特性会引出很多其他有用的电特性。
参考资料来源:百度百科-半导体
百度百科-半导体电阻率
半导体随着温度升高,其电阻率是变小的。因为半导体材料的分子一般排列的比较有序,才导致可以用半导体材料做成二极管,具有单向导电性。随着温度的升高,分子排列的无序性变大,导电性能变好。电阻率将会减小。多数导体的电阻随温度的升高电阻增大,绝缘体的电阻极高,对温度的变化不明显。半导体的电阻对温度变化很敏感,因此常用于热敏电阻的制造,热敏电阻根据材料不同可以是正温度系数,也可以是负温度系数。
用一定的直流电压对被测材料加压时,被测材料上的电流不是瞬时达到稳定值的,而是有一衰减过程。
在加压的同时,流过较大的充电电流,接着是比较长时间缓慢减小的吸收电流,最后达到比较平稳的电导电流。被测电阻值越高,达到平衡的时间则越长。
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测量时为了正确读取被测电阻值,应在稳定后读取数值。在通信电缆绝缘电阻测试方法中规定,在充电1分钟后读数,即为电缆的绝缘实测值。
但是在实际上,此方法有些不妥,因为直流电压对被测材料加压时,被测材料上的电流是电容电流,既然是电容电流,就与电缆的电容大小有关。
电容大需要充电的时间就长,特别是油膏填充电缆,就需要的时间要长一些。所以同一类型的电缆,由于长度不一样,及电容大小不一样,充电时间为一分钟时读数显然是不科学,还需进一步研究和探讨。
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