半导体封装镍钯金基板作用是什么呢

增加导电性和抗摩擦性能，金是指镀金、镀钯、镀镍三层镀层的简称。镍钯金镀层是目前应用于电子电路行业和半导体行业的最新技术，利用10纳米厚的金镀层和50纳米厚的钯镀层达到良好的导电性能、耐腐蚀性能和抗摩擦性能。镍钯金铜层的厚度会直接影响上述各种物理和外观性能，

氧化镍电极的活性物质是具有一定晶型结构的氧化物β-NiOOH。晶格中某一数量的OH-被O2-代替叫质子缺陷；晶格中一定数量Ni2+被Ni3+代替叫电子缺陷。氧化镍电极的电化学过程就是通过晶格中电子缺陷和质子缺陷的转移而完成的。应说明的是，正极析氧在充电时发生是氧化镍电极的一个特征。一般来说，由于氧化镍电极的半导体性质，充放电反应进行极不彻底，电极活性物质利用率不高，为了提高利用率，常常加入锂，钴，钡的化合物作为添加剂，但铁是有害杂质应避免。

化学镀镍半导体拉力不好的原因

A . PH值过低，反应慢，沉积速度低

B．PH值过高，溶液会反应剧烈，呈沸腾状，出现深灰色镍粉（溶液自然分解的象征）

*** 作中可以添加氨水来补充蒸发了的氨和中和沉积反应时产生的酸4.温度：

温度对沉积速度影响很大，温度俞高，沉淀速度俞快，当温度低于700C 反应已不进行，当温度高于950C时，将大大降低溶液的稳定性，特别是加热不均匀，PH值偏高时，很容易的自然分解

5.镀镍的时间：

时间过长，沉积的镍层过厚，在烧结时会导镍层致脱落，镀镍失败

时间过短，沉积的镍层过薄，烧结渗入芯片中的镍层不足，不会与二次镍足够的接合在一起，导致抗拉力不足。

本公司镀镍工艺采用渐延长时间的镀镍工艺，2-4min,控制镍层在一个比较均匀的范围内

6.烧结：

由于热能的驱动，加上镍是比较活泼的金属，在高温下镍极易向硅层中渗透。

控制点：

A．氮气的流量

因镍在高温下极易氧化，氮气作为保护气体必须提供足够的保护作用B．推拉杆的速度：

推进的速度过快：热应力过大，层与硅层的附着性降低

拉出的速度过快：芯片过热的情况下拉至炉口导致镍层氧化C．在炉口冷却足够时间：

防止芯片镍层氧化

7.去氧化镍及清洗：

目的：

A．去没有烧渗入硅层内部多余的镍层及氧化镍，为二次镍作与一次镍结合提供清洁，无杂质干扰的环境

B．如氧化镍除去不净，它会增高VF

工艺条件：

85℃热硝酸浸泡4min,浸1：10HF30秒，振清洗10：15min.

控制重点：

A．将一次镍外表的氧化镍及其它杂质振荡清洗撤底，如清洗不净会导致一次镍与二次镍之间的结合不良，最终导致一次镍与二次镍之间的

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