多数载流子(电子)n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3
少数载流子(空穴)p=ni^2/n=0.45cm-3
接触,在较小接触面上加反向装置,使处于耗尽状态,用c-v测试仪测电容-电压曲线由此,便可测半导体杂质浓度。1分析为什么不用考虑大圈一侧?2论述如何用这种谁能给我详细介绍一下水银探针法欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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