光电材料与器件专业能干半导体吗?

谢邀！半导体作为交叉学科融合了数学、物理、化学、材料、机械、信息和计算机等基础学科，可选择范围比较广。如果想从事半导体行业，一是可以从微电子学和集成电路设计与集成系统两个专业入手；二是可以从电子科学与技术、电子信息工程、电子信息科学与技术、电子封装技术等电子信息大类下的专业入手；三是通信工程、光电信息科学与工程等相关专业也可从事芯片行业。具体来看，以下几个专业跟集成电路产业密切相关：专业1：电子电气工程电子/电气工程（EE）是芯片设计与制造领域的主要专业，也是跨学科比较多的专业之一，需要擅长数学、物理、计算机等相关学科，每个方向要求不同。主要研究方向（部分）为：通信与网络：实现人与人、人与计算机、计算机与计算进行信息交换的链路，从而达到信息共享，4G技术，因特网、WIFI等都属于此范畴。微电子：研究半导体材料上构成的小型化电路、电力及系统的电子分支，是在电子电路超小型化中逐渐发展起来的。自动化：是指机器设备、系统或过程（生产、管理过程）在没有人或较少人的直接参与下，按照人的要求，经过自动检测、信息处理、分析判断、 *** 纵控制，实现预期目标的过程。比如，设定空调按时关闭的控制板、制造汽车的机械臂、包装流水线等。生物工程：主要运用于医学领域，比如，超声波、CT及生物传感器等。电子学与集成电路：是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。光电：以光电子学为基础，综合利用光学、精密机械、电子学和计算机技术解决各种工程应用课题的技术学科。比如，激光、全息摄影技术及太阳能光伏就是光电。电力工程：与电能的生产、输送、分配有关的工程。比如，电线、变电站、火电厂、风力发电、水力发电及核电厂。电磁学：研究电磁波、电磁场，以及有关电荷、带电物体的动力学等。比如，扬声器、电磁开关、磁疗及电磁炉等。材料与装置：研究的范围涵盖了半导体器件、微电子器件纳米材料等。专业2：计算机类计算机专业涵盖软件工程专业，主要培养具有良好的科学素养，能系统地、较好地掌握计算机科学与技术包括计算机硬件、软件与应用的基本理论、基本知识和基本技能与方法，在科研部门、教育单位、企业、事业、技术和行政管理部门等单位从事计算机教学、科学研究和应用的计算机科学与技术学科的高级科学技术人才。如本科计算机大类中计算机科学与技术、网络工程、软件工程、物联网工程、智能科学与技术、信息安全、空间信息和数字技术等专业。规划发展数字芯片设计的同学，本科可选择计算机专业，研究生再到微电子专业。专业3：通信工程通信工程专业是一个基础知识宽、应用领域广阔的综合性专业，涉及无线通信、多媒体和图像处理、电磁场与微波、医用X线数字成像、阵列信号处理和相空间波传播与成像以及卫星移动视频等众多高技术领域。培养知识面非常广泛，其中也涉及到电子技术，可以作为一个集成电路发展的专业选择。从具体领域来看，基于目前芯片设计人才紧缺的现状，芯查查认为一些相关的专业也可以选择。比如：本科类的农业电气化、工业工程、机械工程（输电线路工程）、机械电子工程、测控技术与仪器、电子信息科学与技术、电气工程及其自动化、电气工程及其自动化（创新）、电气工程及其自动化（实践）、自动化、过程装备与控制工程、通信工程等。“芯片”制造方向的专业有：材料物理、机械设计制造及其自动化、光电信息科学与工程、材料科学与工程、集成电路设计与集成系统等。当然，芯片制造也可以从微电子科学与工程、集成电路设计与集成系统、电子科学与技术、电子信息工程、电子信息科学与技术、电子封装技术、通信工程、光电信息科学与工程、计算机等专业方向入手。此外，在集成电路领域，美国的麻省理工学院MIT、加利福尼亚大学U.C. Berkely、斯坦福大学Stanford，中国台湾的台湾交通大学，新加坡的南洋理工等都是研究水平顶尖的高校，有条件的同学也可以根据情况进行选择。作为今后能够从事芯片研发设计等相关工作的主要专业之一，集成电路专业毕业生在就业前景方面比较宽广，而且这一行业也是正处于朝阳行业，具有良好的发展潜力。从事行业包括：1、电子技术/半导体/集成电路2、新能源3、计算机软件4、其他行业5、通信/电信/网络设备从事岗位包括：1、硬件工程师2、电子工程师3、电气工程师4、模拟集成电路设计工程师5、高级硬件工程师相关集成电路专业课程，请登录芯查查APP和XCC.COM“学堂”栏目查看。之前我写过一篇关于半导体择校和薪资的文章，可以看看：

结晶态硅材料的制备方法通常是先将硅石(SiO2)在电炉中高温还原为冶金级硅(纯度95%～99%)，然后将其变为硅的卤化物或氢化物，经提纯，以制备纯度很高的硅多晶。包括硅多晶的西门子法制备、硅多晶的硅烷法制备。在制造大多数半导体器件时，用的硅材料不是硅多晶，而是高完整性的硅单晶。通常用直拉法或区熔法由硅多晶制得硅单晶。

世界上直拉硅单晶和区熔硅单晶的用量约为9：1，直拉硅主要用于集成电路和晶体管，其中用于集成电路的直拉硅单晶由于其有明确的规格，且其技术要求严格，成为单独一类称集成电路用硅单晶。区熔硅主要用于制作电力电子元件，纯度极高的区熔硅还用于射线探测器。硅单晶多年来一直围绕着纯度、物理性质的均匀性、结构完整性及降低成本这些问题而进行研究与开发。

材料的纯度主要取决于硅多晶的制备工艺，同时与后续工序的玷污也有密切关系。材料的均匀性主要涉及掺杂剂，特别是氧、碳含量的分布及其行为，在直拉生长工艺中采用磁场(见磁控直拉法单晶生长)计算机控制或连续送料，使均匀性得到很大改善；对区熔单晶采用中子嬗变掺杂技术，大大改善了均匀性。在结构完整性方面，直拉硅单晶早已采用无位错拉晶工艺，目前工作主要放在氧施主、氧沉淀及其诱生缺陷与杂质的相互作用上。

氧在热处理中的行为非常复杂。直拉单晶经300～500℃热处理会产生热施主，而经650℃以上热处理可消除热施主，同时产生氧沉淀成核中心，在更高温度下处理会产生氧沉淀，形成层错和位错等诱生缺陷，利用这些诱生缺陷能吸收硅中有害金属杂质和过饱和热点缺陷的特性，发展成使器件由源区变成“洁净区”的吸除工艺，能有效地提高器件的成品率。

对硅单晶锭需经切片、研磨或抛光(见半导体晶片加工)后，提供给器件生产者使用。

某些器件还要求在抛光片上生长一层硅外延层，此种材料称硅外延片。

非晶硅材料具有连续无规的网格结构，最近邻原子配位数和结晶硅一样，仍为4，为共价键合，具有短程有序，但是，键角和键长在一定范围内变化。由于非晶硅也具有分开的价带和导带，因而有典型的半导体特性，非晶硅从一晶胞到另一晶胞不具有平移对称性，即具有长程无序性，造成带边的定域态和带隙中央的扩展态，非晶硅属亚稳态，具有某些不稳定性。其制备方法有辉光放电分解法等(见太阳电池材料)。