半导体存储器分为哪两种

半导体存储器分为随机读写存储器和只读存储器。

半导体存储器的分类从制造工艺的角度可把半导体存储器分为双极型、CMOS型、HMOS型等；从应用角度上可将其分为两大类：随机读写存储器（RAM），又称随机存取存储器；只读存储器（ROM）。

1、只读存储器（ROM）

只读存储器在使用过程中，只能读出存储的信息而不能用通常的方法将信息写入的存储器，其中又可以分为以下几种。

掩膜ROM，利用掩膜工艺制造，一旦做好，不能更改，因此只适合于存储成熟的固定程序和数据。工厂大量生产时，成本很低。

可编程ROM，简称PROM，由厂商生产出的空白存储器，根据用户需要，利用特殊方法写入程序和数据，但是只能写一次，写入后信息固定的，不能更改。

光擦除PROM，简称EPROM，这种存储器编写后，如果需要擦除可用紫外线灯制造的擦除器照射20分钟左右，使存储器复原用户可再编程。

电擦除PROM，简称EEPROM，顾名思义可以通过电来进行擦除，这种存储器的特点是能以字节为单位擦除和改写，而且不需要把芯片拔下插入编程器编程，在用户系统即可进行。

Flash Memory，简称闪存。它是非易失性存储器，在电源关闭后仍能保持片内信息，与EEPROM相比，闪存存储器具有成本低密度大的优点。

2、随机读写存储器（RAM）

分为两类：双极型和MOS型两种。双极型RAM，其特点是存取速度快，采用晶体管触发器作为基本存储电路，管子较多，功耗大，成本高，主要用于高速缓存存储器（Cache）MOS RAM，其特点是功耗低，密度大，故大多采用这种存储器。

SRAM：存储原理是用双稳态触发器来做存储电路，状态稳定，只要不掉电，信息就不会丢失，优点是不用刷新，缺点是集成度低。DRAM：存储原理是用电容器来做存储电路，优点是电路简单，集成度高，缺点是由于电容会漏电需要不停地刷新。

半导体存储器分类：

1，按其功能可分为随机存取存储器（简称RAM）和只读存储器（只读ROM）

（1）随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。

（2）只读存储器（ROM）特点：只读存储器的特点是只能读出不能随意写入信息，在主板上的ROM里面固化了一个基本输入/输出系统，称为BIOS（基本输入输出系统）。其主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入/输出的驱动程序及引导 *** 作系统。

2，按其制造工艺可分为：双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。

（1）双极型存储器特点：运算速度比磁芯存储器速度约快 3个数量级，而且与双极型逻辑电路型式相同，使接口大为简化。

（2）MOS晶体管存储器特点：集成度高、容量大、体积小、存取速度快、功耗低、价格便宜、维护简单。

3，按其存储原理，可分为：静态和动态两种。

（1）静态存储器特点：需要电源才能工作，只要电源正常，就能长期稳定的保存信息。

（2）动态存储器特点：超大容量的存储技术，跟其它类型的存储器相比，每兆比特的价格为最低。

半导体存储器分ROM和RAM

ROM只读存储器

只能读，不能写，断电后信息不会丢失，属非易性存储器,ROM又分为

1、掩膜ROM：由生产厂商用掩膜技术将程序写入其中，适用于大批量生产

2、可编程ROM（PROM或OTP）：由用户自行写入程序，一旦写入，不能修改，适用于小批量生产

3、可擦除可编程ROM（ EPROM ）：可由用户自行写入，写入后，可用紫外线光照擦除重新写新的程序，适用于科研

4、电可擦除ROM（EEPROM）：可用电信号擦除和重新写入的存储器，适用于断电保护

RAM 随机存取存储器

既能读，又能写，断电后信息会丢失，属易失性存储器

RAM用于存放各种现场的输入输出程序，数据，中间结果。RAM又分为静态RAM，动态RAM

1、静态RAM（SRAM）：利用半导体触发器两个稳定的状态表示0或1

静态RAM又分为双极型的SRAM和MOS管的SRAM

双极型的SRAM：用晶体管触发器作为记忆单元

MOS管的SRAM：由6个MOS管作为记忆单元

双极双极型的SRAM型速度快， MOS管速度慢，不需要刷新

2、动态RAM（DRAM）：利用MOS管的栅极电容保存信静态RAM息，即电荷的多少表示0和1。

动态RAM需要进行刷新 *** 作

存储器容量可以表示成2^n,n为地址线的数目

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