最近我们组想研究硒化铟这个材料，请问这个材料有什么特点么?

硒化铟是一种Ⅲ-Ⅵ族化合物，具有不同的化学组成，其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3是一种N型半导体化合物，可以应用于光电转化、光催化、电子器件等领域。硒化铟在室温下的电子迁移率达到2,000 cm2/Vs，远远超过了硅。在更低温度下，这项指标还会成倍増长。超薄的硒化铟，是处于硅和石墨烯之间的理想材料。在类似于石墨烯的低维材料里，硒化铟具有天然超薄的形态，使真正纳米级的工艺成为可能。又和硅类似，硒化铟是优秀的半导体（低维材料在线）。

来自 Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR) 的研究人员已经通过实验证明了长期以来对纳米线技术的理论预测，希望能够创造出“超快”晶体管。

最近，来自 HZDR 的研究人员宣布，他们已经通过实验证明了长期以来关于张力下纳米线（NanowiresUnder Tension）的理论预测。

在本文中，我们将讨论纳米线技术和 HZDR 研究人员所做的工作。

从最基本的意义上说，纳米线是直径在纳米量级的纳米结构。虽然这似乎是一个微不足道的定义，但该技术可能会对电子产品产生重大影响。

纳米线技术的基本吸引力之一是它们表现出强大的电学特性，包括由于其有效的一维结构而产生的高电子迁移率。

这样做的结果是纳米线提供了非常低的电阻率，因此具有非常快的低功率性能。

几十年来，研究人员一直试图将纳米线技术应用于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，其中一种流行的应用是环栅 (GAA) FET（场效应晶体管）。

在基于纳米线的 GAA FET 中，纳米线有助于建立导电通道，而不是平面体硅。

结果是更快的晶体管也不易受短沟道效应的影响。

与碳纳米管等竞争技术相比，纳米线的一个显着优势是纳米线由常见材料制成，例如砷化镓(GaAs)，它具有标准的晶体结构和均匀的电子特性。这种更常见材料的使用为该技术提供了一定程度的可预测性和易于制造性，这对于先进的节点技术很重要。

正如Nature上的HZDR 论文所述，最近的研究表明，理论上，设计人员可以通过在材料上施加拉伸应变来进一步提高纳米线的性能。

理论是，当流体静力学拉伸应变（所有三个维度的膨胀）被施加到 GaA纳米线时，其电性能会发生调节。

例如，预计这种应变会将 GaA 的带隙从 300K 时的 1.42 eV 无应变值缩小到 0.87 eV，减少 40%。

此外，流体静力拉伸应变 GaA 的能带结构计算还可以预期电子的有效质量会显着降低，这意味着更高的电子迁移率。

从本质上讲，先前的研究已经通过实验预测，通过对纳米线施加拉伸应变，该设备的性能甚至可以比以前更好。

到目前为止，研究人员只是在数学上 探索 了这一理论，但在HZDR 团队的新论文中，该小组通过实验测试了这一理论。

在实验中，研究人员制造了由 GaA核心和砷化铟铝壳组成的纳米线。

由于研究人员为核和壳使用了不同的材料，因此纳米线在两者之间经历了不同的晶格间距。

结果是外壳在内核上施加了高拉伸应变，使研究人员能够实现他们之前理论化的电性能调制。

应变与未应变纳米线的动量散射率（顶部）和电子迁移率（底部）

然后，研究人员使用光学激光脉冲释放材料内部的电子来测量纳米线的电子迁移率，这种技术称为非接触式光谱学。

释放电子后，研究人员对纳米线施加后续的高频脉冲，导致电子振荡。然后研究人员可以根据振荡持续的时间来测量电子的迁移率；振荡时间越长，电子迁移率越高。

最后，结果表明，研究人员确实可以通过对纳米线施加拉伸应变来提高纳米线的电子迁移率。

测量到未应变纳米线和块状 GaAs 的相对迁移率增加约为 30%。研究人员认为，他们可以在具有更大晶格失配的材料中实现更显着的增加。

总而言之，研究人员希望他们的发现可以应用于未来的晶体管设计，从而显着提高设备速度和功耗。

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