半导体漂移扩散模型中，n是电子浓度，n_d是掺杂浓度，n是不是远远大于n_d啊？

不，一般载流子浓度约等于掺杂浓度，因为掺杂的目的就是提高载流子浓度，比如Si，ni大约10^10，ND大约10^15，因为掺杂浓度很低没有意义，这样得到的电子浓度就约等于ND了，一般ND是施主能级，如果Si作为半导体材料的话，P（磷）就是施主，（化学元素周期表可知）。每一个P（磷）提供1个电子，所以ND与N是大约相等的。欢迎追问，请采纳。

LG：logic

DR: dram

FL: flash

MD: microdisplay

CIS: cmos image sensor

NROM: flash项目的一个代号

EE: EEPROM

HV: high voltage

SOC: system on chip

你是中心的吧？

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