晶体缺陷种类与半导体电的影响? 会答了 给高分。

半导体晶体中偏离完整结构的区域称为晶体缺陷。按其延展的尺度可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷，这4类缺陷都属于结构缺陷。根据缺陷产生的原因可分为原生缺陷和二次缺陷。从化学的观点看，晶体中的杂质也是缺陷，杂质还可与上述结构缺陷相互作用形成复杂的缺陷。一般情况下，晶体缺陷是指结构缺陷。

点缺陷(零维缺陷) 主要是空位、间隙原子、反位缺陷和点缺陷复合缺陷。

线缺陷(一维缺陷) 半导体晶体中的线缺陷主要是位错。

面缺陷(二维缺陷) 包括小角晶界、堆垛层错、孪晶。

体缺陷(三维缺陷) 包括空洞和微沉淀，是指宏观上与基质晶体具有不同结构、不同密度或不同化学成分的区域。

微缺陷 除上述四类结构缺陷外，还有一类以择优化学腐蚀后表面出现的以高密度浅底小坑或小丘为其腐蚀特征的一类缺陷，称为微缺陷，目前已发现的微缺陷有三类：(1)生长微缺陷；(2)热诱生微缺陷；(3)雾缺陷。

晶体缺陷会使晶体存在缺陷电阻，对半导体晶体能阶也有影响，对载流子数目存在影响

晶体缺陷在半导体材料方面的应用：如ZnO , Fe3O4 , 掺杂半导体 , BaTiO3半导瓷等

答的不全， 仅作为参考

杂质在半导体产业是个优势又是麻烦，例如：晶圆原厂的晶圆制程拉晶柱时不能有任何杂质，否则就是缺陷。

而在芯片加工流程打入杂质形成pn结又非有杂质不可，否则也是缺陷。

凡是缺陷就不可能成功。

影响极大，减短寿命。少子寿命是半导体材料和器件的重要参数，即少数载流子寿命。光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。杂质和缺陷对少子寿命影响极大，减短寿命，杂质、缺陷愈多非平衡载流子消失得愈快，在复合过程中少数载流子起主导和决定的作用。会产生杂质能级，成为少子的复合中心，从而寿命降低。

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