半导体二极管极其电路：解释雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿形成的原因，并说明热击穿与电击穿的异同。

雪崩击穿：当加在PN结两端反向电压足够大时，PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大，导致击穿。齐纳击穿：当PN结两端加入高浓度的杂质，在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。热击穿：加在PN结两端的电压和流过PN结电流的乘积大于PN结允许的耗散功率，PN结会因为热量散发不出去而被烧毁。热击穿与电击穿的不同：电击穿可逆，而热击穿不可逆。

这个说法是不准确。首先雪崩击穿和热击穿发生机理不同；热击穿是因为热而导致电流增大从而损坏；而雪崩击穿是因为反偏电压高而产生雪崩倍增效应从而导致损坏。 半导体器件雪崩击穿发生之后，继续增加电压电流，器件由于热而导致烧毁（而不是热击穿，此时未必发生热击穿）。另外雪崩击穿造成器件失效，失效的原因不是只有一个热的原因，还有的因为由于雪崩击穿而造成器件其他电特性参数变差。

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