半导体显微镜的使用方法谁知道？

大概说一下。

1、先将显微镜放在合适的位置上。

2、通电。将电源线一头插入显微镜接电插口，另一头的三头插头连接家用电源。

3、打开显微镜开关。

4、打开光源。

5、放置样品。在放置样品的过程中要用到载玻片和盖玻片，使盖玻片的一面朝上，不要放反，然后用推片器的d簧夹夹住。

6、调整载物台。调整载物台时，需要对载物台在XYZ方向上作调整。XY方向的调整使载物台上的样品能与光源以及观察物镜处于一条直线，Z方向上的调整使样品与物镜之间的距离产生变化，从而确定焦距。（调节过程中要用眼睛观察，直到物象清晰为止）

7、选择观察倍数。转动物镜转盘，选择合适倍数的物镜对样品进行观察。

8、调节目镜焦距，对物象清晰度进行进一步的调整。

9、微调。转动调焦旋钮对显微镜视野内的物象进行进一步的微调，使图像清晰度达到理想水平。

我们实验室平时用的奥林巴斯显微镜，这个根据品牌、型号不同，观察样品不同，观察目的不同，都会有区别的。你最好还是问问老师傅，还有就是联系厂家咨询。

激光投线仪产品的技术指标：

1、水平精度：±1mm/5m。

2、垂直精度：±1mm/5m。

3、正交精度：90°±60″。

4、下对点精度：±1mm/1.4m。

5、天顶精度：±2mm/3m。

6、自动安平范围：约±2.5°。

7、发射角度：垂直线大于等于110度，水平线大于等于120度。

8、激光波长：垂直和水平面5×635nm，下对点1×650nm。

9、工作距离：室内工作半径约10m，采用探测器，工作半径不小于50m。

10、激光射出功率：1mw以下（安全标准2级）。

11、电源：4.5v(3节5号干电池）。

12、ek-888c：6v（4节5号电池）。

12、连续工作时间：ek-888p：约6小时（激光管全亮）；

ek-888c：约7小时（激光管全亮）；

ek-234p：约6小时（激光管全亮）；

ek-234r：约6小时（激光管全亮）。

13、工作温度：负10摄氏度至45摄氏度。

14、尺寸：ek-888p：140（φ）×220（h）mm，

ek-888c：140（φ）×220（h）mm，

ek-234p：120（φ）×185（h）mm，

ek-234r：120（φ）×185（h）mm。

15、重量：ek-888p：2.0kg（含电池），ek-888c：2.0kg（含电池），

ek-234p：1.4kg（含电池），ek-234r：1.4kg（含电池）。

激光投线仪产品的特点：

1、采用自动安平（重力摆-磁阻尼）方式，超出范围激光闪烁，使用方便、可靠。

2、采用波长为635nm的半导体激光器，激光线条清晰明亮。

3、可产生四条互相正交的垂直线和一条水平线，带下对点。

4、可360度转动带微调机构，便于精确找准目标。

5、可用于室内和室外。

6、室外使用激光投线仪产品或工作距离较远时，肉眼不易观察到激光线条，此时应该选择室外工作状态。也可以选本公司生产的fd-6或者fd-9墨线仪探测器以确定激光线位置。

7、ek-234r带无线遥控，可远距离 *** 作。

8、带刻度盘，定位更准， *** 作更精确。

本文说说碳化硅的那些事。 碳化硅材料的发展 历史 比较久远，1824年瑞典化学家Berzelius在人工生长金刚石的过程中发现了碳化硅SiC。1885年Acheson用焦炭和硅石的混合物以及一定量氯化钠在熔炉中高温加热，制备出了小尺寸碳化硅晶体，但存在大量缺陷。 碳化硅材料的应用始于20世纪初。1907年美国Round制造出第一个碳化硅发光二极管；1920年碳化硅单晶作为探测器用于早期的无线电接收机上。不过因为单晶生长难度较大，碳化硅在很长一段时间内没有很好的应用，到了1955年飞利浦发明了一种采用升华法制备高质量碳化硅的新方法即Lely法，碳化硅材料再次焕发生机。 七八十年代碳化硅的制备及应用实现重大突破。1978年前苏联科学家Tairov等人改良了Lely法，可以获得较大尺寸的碳化硅晶体。1979年第一个碳化硅发光二极管问世；1981年Matsunami发明了在硅衬底上生长碳化硅单晶的方法；1991年美国公司Cree采用升华法生长出碳化硅晶片并实现产业化。 目前碳化硅及其应用呈现出以下几个特点：第一是晶圆尺寸实现大尺寸化，Cree的6英寸碳化硅晶片实现产业化，并积极推进8英寸晶片的产业化。第二晶体缺陷密度不断下降，比如4英寸碳化硅单晶微管密度下降至0.1cm^-2以下，穿透性螺位错和基平面位错密度控制在10^2cm^-2。第三碳化硅基功率器件不断涌现，除了特斯拉和蔚来 汽车 在电动车上使用了SiC-MOSFET，还发展出了SBD、HMET等器件。当然第四点相比硅基半导体的奋起直追，中国在碳化硅第三代半导体上与国外发展水平基本持平，衬底方面天科合达等实现了4英寸的产业化和6英寸的技术突破，并积极向8英寸推进；山东天岳等公司拥有相应的外延生长技术。在器件制造上扬杰 科技 、士兰微等也积极推进碳化硅基功率半导体的产业化。 碳化硅材料的特性之一就是拥有超过200多种晶体结构，每一种结构对应的电学性能等存在一定差异。目前主要是六角4H、六角6H和菱方15R等，其中4H和6H实现产业化： 总体上相比氮化镓和硅等，碳化硅材料拥有最高的热导率、较高的带隙、电子迁移率和饱和电子速率等，可以制造能在高温、高压、更高功率和更高工作频率等情形下的器件。 在具体应用方面，碳化硅主要实现了以下应用：第一是碳化硅为衬底制备高亮度和超高亮度蓝绿InGaN铟镓氮LED；第二是实现了KV级高压MOSFET器件制造，比如罗姆半导体生产的1200V、35A的SiC-MOSFET；第三是用于300V到1200V甚至3300V等更高压的碳化硅基肖特基势垒管SBD的制造；第四是在半绝缘碳化硅衬底上制备氮化镓、铝镓氮AlGaN高电子迁移率晶体管HEMT；第五是在SiC-IGBT上有所突破，实现了P沟道IGBT的制造。 在碳化硅材料制备上，1955年飞利浦提出了Lely法，也称升华法。Lely法的基本原理是：在空心圆筒状石墨坩埚中（最外层石墨坩埚，内置多孔石墨环），将具有工业级纯度的碳化硅粉料投入坩埚与多孔石墨环之间加热到2500度，碳化硅在此温度下分解与升华，产生一系列气相物质比如硅单晶、Si2C和SiC2等。由于坩埚内壁与多孔石墨环之间存在温度梯度，这些气相物质在多孔石墨环内壁随机生成晶核。总的来说Lely法产率低，晶核难以控制，而且会形成不同结构，尺寸也有限制。 目前碳化硅材料制备多采用改进Lely法、高温CVD法和溶液法，其中以改进Lely法为主流。 改进Lely法也称物理气相传输法PVT，是前苏联科学家Tairov和Tsvetkov于1978年提出的。改进Lely法使用了工作频率10-100KHz的中频感应加热单晶炉，在生长过程中加入籽晶用于控制晶核和晶向： 在改进Lely法中碳化硅单晶生长主要经历低温高真空阶段、高压升温阶段、高压保温成核阶段、降压生长阶段、恒压恒温生长阶段和升压冷却阶段等六个阶段。当然在具体生长过程中，为了制备符合要求的碳化硅单晶，降低微管、位错密度等缺陷，会对籽晶的籽晶面等适当微调，在此不再展开。 碳化硅单晶有绝缘型、半绝缘型之分，按照掺杂类型还有P型掺杂和N型掺杂之分，无形中提升了碳化硅的制备难度。比如制备功率器件的是N型4H-SiC衬底，器件要求衬底电阻率小于20毫欧姆*厘米，制备低电阻率的N型4H-SiC常用高浓度N掺杂，但随着掺杂浓度提高，单晶中位错密度会升高。Kato等人提出的氮、铝共掺杂技术制备出了低电阻率的N型4H-SiC单晶，所用的单晶炉有两套加热系统，其中上部加热系统与普通Lely法相同，主要对SiC原料加热并为单晶生长提供合适的温度；下部加热系统为铝原料加热。这样通过对生长压力、温度等参数调整，可以实现有效的氮、铝共掺杂。 碳化硅的外延主要采用化学气相沉积CVD，以后再说。

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