陈星弼院士是谁？

　九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在四川成都逝世，享年89岁。

陈星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江，1947年至1952年就读于同济大学电机系，先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士（IEEE Life Fellow）。

陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他发表超过200篇学术论文，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为"高压功率器件新的里程碑"。该发明专利成功转让并实现产业化，目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。

陈星弼曾获得诸多荣誉，包括国家发明奖及科技进步奖2项，省部级奖励13项。2015年获得IEEE ISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。

李肇基教授，博士导师，享受国家特殊津贴专家，四川省科技顾问团顾问。1963年毕业于（现电子科技大学）半导体专业。1963年至今在该校从事半导体和微电子学方面的科研和教学工作，多次荣获“三育人”先进个人、优秀教师等称号，其中1982年至1984年作为访问学者赴美国乔治亚理工学院工作，1984年回国后主要研究领域是新型功率器件和智能功率集成电路。指导博士生和硕士生五十余名，鉴定科技成果12项，获国家专利两项，获国家科技进步三等奖，国家发明四等奖、电子部科技进步奖等8项。在IEEE等发表论文四十余篇，被邀为国际杂志《Solid-State Electronics》审稿人。作为课题负责人之一的八·五攻关项目新型功率MOS器件于1996年11月获国家计委，国家科委和财政部联合表彰。在IEEE Trans ED（1994，No.12）等中，提出了CLIGBT有非平衡电子抽出的模型和网络模型及模型直接嵌入法。并提出一种具有键合衬底的绝缘栅场效应晶体管（IGBT），此结构可普适于电导型调制功率器件，获发明专利。用国产单晶硅材料取代昂贵的进口外延片制作IGBT。在IEEE Trans. ED（1994，No.12）提出CLIGBT瞬态响应模型。在Solid-State Electron（1991，No.3）提出功率MOS晶体管热特性分析的全热程电热模型。在Solid-State Electron（2000，No.1）中提出电导调制型功率器件的非平衡载流子非准静态抽出模型。在ICCCAS（2002 June）提出了SOI高压横向器件的新结构及其界面电荷耐压模型。

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