CAST C与国军标哪个质量等级高？

根据用途，元器件的质量等级可分为：用于元器件生产控制、选择和采购的质量等级和用于电子设备可靠性预计的质量等级两类，两者有所区别，又相互联系。用于元器件生产控制、选择和采购的质量等级元器件的质量等级与其生产过程执行的规范是密不可分的，规范要求质量控制的严格程度，决定了元器件质量等级的高低。在大多数军工产品中采用国产元器件的质量等级分为：（七专）7905、（七专）8406、（七专）840611A（半导体分立器件）、（七专）补充技术协议、国军标（GJB）等五种。前四种可以认为是四种质量等级，而国军标由于参照采用了美国军用（MIL）标准，其质量等级的分类方法比较复杂，器件分为3～4个质量保证等级（简称质量等级）；元件分为有可靠性指标的和无可靠性指标的两类，对于有可靠性指标的元件可分为若干个失效率等级。国军标元器件的质量等级包括了：器件的质量保证等级和有可靠性指标元件的失效率等级，如表1所示。表1国军标元器件质量分级进口元器件的质量分级更为复杂，考虑到较多的是采用美国军用元器件及部分欧洲空间局（ESA）元器件，所以简要介绍MIL和欧洲空间局空间元器件协调组（ESA/SCC）元器件质量分级的情况。 美军标元器件的质量分级如表2所示。表2美军标元器件质量分级从1994年6月美国宣布对军用标准实行改革以来，表2中涉及的美军标中，MIL-M-38510已并入MIL-I-38535，而且都已改成性能规范（规范代号的字母改为MIL-PRF-，以后的数字不变，如MIL-PRF-38535C），内容也有较大的变化，例如采用统计过程控制（SPC）技术后，原来军用规范规定要100%做的筛选项目，允许减少甚至可以全部免除。因此，在选择和采购元器件时，必须加以注意。这里特别要对微电路（包括：半导体集成电路及混合集成电路）的质量等级作些说明，其中B级与S级是微电路的质量保证等级，此外凡符合MIL-STD-883《微电路试验方法和程序》1.2.1条规定的微电路，属于质量等级为883级的微电路。CAST C与国军标前者质量等级高其特点是微电路生产单位声称已按总规范MIL-M-38510及相应的详细规范进行质量控制，但未进行认证。因此，具有不同信誉的微电路生产单位，电路的质量将有很大差别。从1995年5月14日开始MIL-M-38510并入MIL-PRF-38535后，已不生产B级、S级微电路，所以现在按MIL-M-38510采购的微电路，其质量等级大多数是883级，在883级微电路中，有些元器件供应商还根据对电路不同的质量控制，分为883B和883S，但其质量等级都不如B级有保证。ESA/SCC元器件的质量分级较有规律，所有元器件都分为B、C两级，但在采购时还可选择不同的批验收试验（缩写LAT，相当质量一致性检验），由于LAT分为1、2、3类，所以ESA/SCC元器件可分为B1、B2、B3、C1、C2、C3六个质量等级。用于电子设备可靠性预计的质量等级当按GJB/Z 299或MIL-HDBK-217进行电子设备可靠性预计时，在该标准中列出了另一种质量等级与表4-1或表4-2列出的质量保证等级及失效率等级有一一对应的关系。由于质量保证等级及失效率等级有时也可简称为质量等级，所以两者很易混淆。但只有军用级元器件才有质量保证等级及失效率等级，而对于所有元器件都有进行可靠性预计的质量等级，这是两者是主要的差别。

现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。\x0d\x0a半导体器件的种类： \x0d\x0a一、分立器件\x0d\x0a1、 二极管\x0d\x0aA、一般整流用\x0d\x0aB、高速整流用：\x0d\x0a①FRD（Aast Recovery Diode:高速恢复二极管）\x0d\x0a②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管）\x0d\x0a③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管）\x0d\x0aC、定压二极管（齐纳二极管）\x0d\x0aD、高频二极管\x0d\x0a①变容二极管\x0d\x0a②PIN二极管\x0d\x0a③穿透二极管\x0d\x0a④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管\x0d\x0a2、 晶体管\x0d\x0a①双极晶体管\x0d\x0a②FET（Fidld Effect Transistor:场效应管）\x0d\x0aⅠ、接合型FET\x0d\x0aⅡ、MOSFET\x0d\x0a③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)\x0d\x0a3、 晶闸管\x0d\x0a①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅\x0d\x0a②GTO（Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管） \x0d\x0a③LTT（Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管）\x0d\x0a\x0d\x0a二、光电半导体\x0d\x0a1、LED（Light Emitting Diode:发光二极管）\x0d\x0a2、激光半导体\x0d\x0a3、受光器件\x0d\x0a①光电二极管（Photo Diode）/太阳能电池（Sola Cell）\x0d\x0a②光电晶体管（Photo Transistor）\x0d\x0a③CCD图像传感器（Charge Coupled Device:电荷耦合器）\x0d\x0a④CMOS图像传感器（complementary Metal Oxide Semiconductor:互补型金属氧化膜半导体）\x0d\x0a4、光耦(photo Relay)\x0d\x0a①光继电器（photo Relay)\x0d\x0a②光断路器（photo Interrupter）\x0d\x0a5、光通讯用器件\x0d\x0a\x0d\x0a三、逻辑IC\x0d\x0a1、通用逻辑IC\x0d\x0a2、微处理器（Micro Processor）\x0d\x0a①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机)\x0d\x0a②RISC(Reduced instruction SET Computer:缩小命令集计算机)\x0d\x0a3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件)\x0d\x0a4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）\x0d\x0a①栅陈列（Gate-Array Device）\x0d\x0a②SC(Standard Cell:标准器件)\x0d\x0a③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置)\x0d\x0a5、MPR（Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI）\x0d\x0a6、系统LSI（System LSI）\x0d\x0a\x0d\x0a四、模拟IC（以及模拟数字混成IC）\x0d\x0a1、电源用IC\x0d\x0a2、运算放大器（OP具Amp）\x0d\x0a3、AD、DA转换器（AD DA Converter）\x0d\x0a4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)\x0d\x0a\x0d\x0a五、存储器\x0d\x0a1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)\x0d\x0a2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)\x0d\x0a3、快闪式存储器(Flash Memory)\x0d\x0a4、掩模ROM(mask Memory)\x0d\x0a5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)\x0d\x0a6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器)

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