半导体中通过电流的大小是由载流子的数目决定还是由载流子的速度决定？

半导体中通过电流的大小是由半导体的电导率和加在半导体两端的电压来决定。

而半导体的电导率由半导体中的载流子浓度和载流子的迁移率来决定（迁移率有点类似速度，不过单位是m^2/V.s）；

半导体中的载流子一般包括自由电子和空穴两种。

所以，半导体中通过电流的大小不是仅仅由载流子的数目来决定，也不是仅仅由载流子的速度来决定。

半导体电阻率与温度的关系:决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。在低温下:由于载流子浓度指数式增大(施主或受主杂质不断电离)，而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故)，所以这时电阻率随着温度的升高而下降。在室温下:由于施主或受主杂质已经完全电离，则载流子浓度不变，但迁移率将随着温度的升高而降低(晶格振动加剧，导致声子散射增强所致)，所以电阻率将随着温度的升高而增大。在高温下:这时本征激发开始起作用，载流子浓度将指数式地很快增大，虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低(晶格振动散射散射越来越强)，但是这种迁移率降低的作用不如载流子浓度增大的强，所以总的效果是电阻率随着温度的升高而下降。

半导体导电是通过载流子进行的，载流子数量越多，导电性能越好，也就是电阻率越低。

温度上升时，半导体电子热运动活动剧烈，能量增加，由价带顶跃迁到导带底所需要的外界能量降低（半导体载流子是由价带顶的空穴和导带底的电子确定的），所以半导体带隙降低，Eg降低。由于ni^2=Nc*Nvexp(-Eg/2K0T)，所以Eg越低导致ni^2 越高，由于np = ni^2所以载流子随之升高。最后导致同样电压下，电流变大，反映出的是电阻率变低。

https://zhidao.baidu.com/question/1987779684801752987

我在这里也有较为详细的解释，敬请参考。

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