1 三极管的结构和分类
其共同特征就是具有三个电极,这就是“三极管”简称的来历。通俗来讲,三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构,根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。
上述三层结构即为三极管的三个区, 中间比较薄的一层为基区,另外两层同为N型或P型,其中尺寸相对较小、多数载流子浓度相对较高的一层为发射区,另一层则为集电区。三极管的这种内部结构特点,是三极管能够起放大作用的内部条件。
三个区各自引出三个电极,分别为基极(b) 、发射极(e)和集电极(c)。
如图b所示,三层结构可以形成两个PN结,分别称为发射结和集电结。三极管符号中的箭头方向就是表示发射结的方向。
三极管内部结构中有两个具有单向导电性的PN结,因此当然可以用作开关元件,但同时三极管还是一个放大元件,正是它的出现促使了电子技术的飞跃发展。
2 三极管的电流放大作用
直流电压源Vcc应大于Vbb,从而使电路满足放大的外部条件:发射结正向偏置,集电极反向偏置。改变可调电阻Rb,基极电流IB,集电极电流Ic 和发射极电流IE都会发生变化,由测量结果可以得出以下结论:
(1) IE = IB + IC ( 符合克希荷夫电流定理)
(2) IC ≈ IB ×? ( ?称为电流放大系数,可表征三极管的电流放大能力)
(3)△ IC ≈ △ IB ×?
由上可见,三极管是一种具有电流放大作用的模拟器件。
3 三极管的放大原理
以下用NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大
原理,
1、发射区向基区扩散电子:由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子(自由电子)不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流IE。
2、电子在基区扩散和复合:由于基区很薄,其多数载流子(空穴)浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流IB,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。
3、集电区收集从发射区扩散过来的电子:由于集电结反向偏置,可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流IC。
4 三极管的输入输出特性
三极管的输入特性是指当集-射极电压UCE为常数时,基极电流IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线。
对硅管而言,当UCE超过1V时,集电结已经达到足够反偏,可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区。如果此时再增大UCE ,只要UBE保持不变(从发射区发射到基区的电子数就一定), IB也就基本不变。就是说,当UCE超过1V后的输入特性曲线基本上是重合的。
由图可见,和二极管的伏安特性一样,三极管的输入特性也有一段死区,只有当UBE大于死区电压时,三极管才会出现基极电流IB。通常硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V。在正常工作情况下,NPN型硅管的发射结电压UBE为0.6~0.7V,PNP型锗管的发射结电压UBE为-0.2~ -0.3V。
三极管的输出特性是指当基极电流IB一定时,集电极电流IC与集-射极电压UCE之间的关系曲线。在不同的IB下,可得出不同的曲线,所以三极管的输出特性是一组曲线。通常把输出特性曲线分为三个工作区:
1、放大区:输出特性曲线的近于水平部分是放大区。在放大区, IC = IB ×?,由于在不同IB下电流放大系数近似相等,所以放大区也称为线性区。三级管要工作在放大区,发射结必须处于正向偏置,集电结则应处于反向偏置,对硅管而言应使UBE>0,UBC<0。
2、截止区: IB = 0的曲线以下的区域称为截止区。实际上,对NPN硅管而言,当UBE<0.5V时即已开始截止,但是为了使三极管可靠截止,常使UBE≤0V,此时发射结和集电结均处于反向偏置。
3、饱和区:输出特性曲线的陡直部分是饱和区,此时IB的变化对 IC的影响较小,放大区的?不再适用于饱和区 。在饱和区, UCE<UBE,发射结和集电结均处于正向偏置。
测判三极管的口诀
三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功,为了帮助读者迅速掌握测判方
法,笔者总结出四句口诀:“三颠倒,找基极;PN结,定管型;顺箭头,偏转大;测不准,
动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。
一、 三颠倒,找基极
大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同,可以分
为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管,图1是它们的电路符号和等效电路。
测试三极管要使用万用电表的欧姆挡,并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表
欧姆挡的等效电路。由图可见,红表笔所连接的是表内电池的负极,黑表笔则连接着表内电
池的正极。
假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型,也分不清各管脚是什么电极。测试的
第一步是判断哪个管脚是基极。这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用电
表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的偏转角度;接着,再取1、3两个电极和
2、3两个电极,分别颠倒测量它们的正、反向电阻,观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测
量中,必然有两次测量结果相近:即颠倒测量中表针一次偏转大,一次偏转小;剩下一次必
然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小,这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参
看图1、图2不难理解它的道理)。
二、 PN结,定管型
找出三极管的基极后,我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子
的导电类型(图1)。将万用表的黑表笔接触基极,红表笔接触另外两个电极中的任一电极,
若表头指针偏转角度很大,则说明被测三极管为NPN型管;若表头指针偏转角度很小,则被
测管即为PNP型。
三、 顺箭头,偏转大
找出了基极b,另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透
电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。
(1) 对于NPN型三极管,穿透电流的测量电路如图3所示。根据这个原理,用万用电表的
黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec,虽然两次测量中万用表指针偏转角度
都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c极→b
极→e极→红表笔,电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”),所以此时
黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。
(2) 对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔→e极→b极
→c极→红表笔,其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致,所以此时黑表笔所接的一
定是发射极e,红表笔所接的一定是集电极c(参看图1、图3可知)。
四、 测不出,动嘴巴
若在“顺箭头,偏转大”的测量过程中,若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难
以区分时,就要“动嘴巴”了。具体方法是:在“顺箭头,偏转大”的两次测量中,用两只
手分别捏住两表笔与管脚的结合部,用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b,仍用“顺箭头,
偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用,目
的是使效果更加明显。
半导体指纹头引脚定义如下:1. VDD:电源正极,用于供应指纹头的电源电压。
2. GND:地线,用于指纹头的电源接地。
3. OUT:输出引脚,用于将指纹头读取到的数据发送给主控制器。
4. IN:输入引脚,用于将主控制器发送到指纹头的指令发送给指纹头。
5. RST:复位引脚,用于将指纹头从休眠状态唤醒。
有多种方法可以判定三极管的引脚。
三极管,也称半导体三极管,双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件·。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
晶体三极管,它是由2块N型(或P型)半导体中间夹着一块P型(或N型)半导体所组成。发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结。三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。(如图)
对与分辨三极管的三根引脚可以有多种方法。比较常见的有:
1、仪器测量:功能齐全的晶体管测试仪可以分辨管脚的属性,并给出特性参数;
2、标记法:三极管上通常有厂家做的标记。例如:特定的排列方式、标记号,不同管脚长度等。对于熟悉型号的三极管,可以很快分辨出管脚属性;
3、根据特性进行测试:这是检维修或DIY一些小制作时用得最多的一种方法。具体做法分两步:
1)辨认基极和三极管类型。根据上图中(a),(b)两种三极管示意图右侧的二极管等效图,用测量二极管的方法判断三极管类型和基极;
2)辨认发射极和集电极。(参见下图)以NPN晶体管为例。
用万用表电阻档连接已识别出的 b 以外的两极。分别用手同时捏住其中一极和 b。注意 b 不要碰到表笔。此时和 e 同时捏住后表现电阻值较小的一极是 c ,和 b 同时捏住后表现电阻值较大的一极是 e。
要注意的是,不同类型的万用表,其电阻档表笔所带的电压极性有所不同(下图中标的是正电和负电端,而不是表笔极性)。一般的机械万用表负笔是正电源,而数字万用表大多数正笔是正电。
此法的测量原理是利用了电阻测量和三极管的特性进行的。万用表测量电阻的方式是给电阻加一电压,根据电流判断阻值,它的读数虽然是电阻的大小,但实际上是经过两个表笔之间的电流大小;而三极管当 c 的电压分流到 b 时,其放大功能起作用形成较大的电流,使电阻读数较小。当 e 的电压分流到 b 时,三极管的放大作用很小,电阻读数较大。
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