** * 初始化方向传感器 *private void initOritationListener() {myOrientationListener = new MyOrientationListener(getApplicationC

Debug分为3个阶段：1. 探测信号：在设计中标志想要查看的信号2. 布局布线：给包含了debug IP的设计布局布线3. 分析：上板看信号一 探测信号探测信号有2种方法一种是直接在HDL源代码中用（*mark_debug = “true

一、选择题（本大题共12小题，每小题5分，共60分。每小题只有一个正确答案）1、在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体）带正电 B）带负电 C）不带电 D）不能确定2、如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向

原理使试样中各组分电离生成不同荷质比的离子，经加速电场的作用，形成离子束，进入质量分析器，利用电场和磁场使发生相反的速度色散——离子束中速度较慢的离子通过电场后偏转大，速度快的偏转小；在磁场中离子发生角速度矢量相反的偏转，即速度慢的离子依

国内激光打标机厂家有100多家企业，比较出名的有大族激光、华工激光、迅镭激光、德龙激光、迪能激光等企业。选择激光打标机，需要考虑外资品牌,标刻成效,加工方式,适用材料,类型等因素。比如类型就有激光打码机、气动打码机、金属打码机等。按激光器，

二极管的基本特性就是单向导电性。检修测量时通过两个方向的截止和导通情况来判断是否损坏。二极管的主要参数有反向电压、持续正向电流、正向导通电压、耗散功率和反向恢复时间（决定适用工作频率）。不同型号的二极管，维修替换时要全面考虑这些参数，用于替

三极管的工作原理 三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个

一、 三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡

半导体三极管之所以叫双极性晶体管是因为导电时有两种粒子参与导电，以NPN管为例，中间是P形，两边是N形，等于就是两个PN结，电子由发射极（假设以他在左边为例）的N区开始经正向电压到达P区，再由集电极那边的反偏电压把电子扫向右边（集电极）的N

正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~1.2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。1.导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。2.一般以额定正

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块

激光打标机红外对焦不亮了解决方法如下：在打标软件上绘制一个大概一厘米左右的正方形或者圆，常规填充以后，在激光设置参数栏把激光能量调至比较大，频率尽量使用低频，然后勾选连续打标，在产品表面激光投射位置放一块金属名片之类的遮挡物，连续出光打标，

S8050，封装TOP21，NPN型管，功能高频放大，40V，1.5A，1W，100MHZ，代换B1240，S8550。S8550与S8050一致。9012，TOP21，PNP，低频放大，50V，0.5A，0.625W，代换，9013。一只

采用矢量方法、极坐标方法和切线坐标方法，对库仑散射公式进行了推导。库仑散射是指带电粒子穿过物质时，在原子核的库仑场作用下发生偏转的现象。记入射带电粒子的质量为m,电荷为Z1e,速度为v,动量为p，能量为E。对于入射粒子的自旋为0,且被非常

晶体三极管是一种固体半导体器件，其应用十分广泛，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能，在电子电路中是主要的器件之一，它的作用是对信号进行放大或者工作在开关状态对电路进行控制。 晶体三极管是由两个靠得很近并且背对背排列

npn和pnp的判断口诀是如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择npn。如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择pnp。如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择npn。如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平

原理使试样中各组分电离生成不同荷质比的离子，经加速电场的作用，形成离子束，进入质量分析器，利用电场和磁场使发生相反的速度色散——离子束中速度较慢的离子通过电场后偏转大，速度快的偏转小；在磁场中离子发生角速度矢量相反的偏转，即速度慢的离子依

所謂的漏電流﹐是由于電容的絕緣介質中不完全的絕緣﹐而是有一定的阻抗﹐故存在損耗現象﹐而在一部份損耗以電流的形式表現出來就是漏電流。漏电流过大的一个原因可能因为芯片的process有问题导致的.一般的芯片用时间久了,其漏电流就会增大,常见的如

图2 染料敏化纳米晶太阳能电池的工作原理Ecb半导体的导带边Evb半导体的价带边D’,D’’分别是染料的基态和激发态I,I3是氧化还原电解质。对电极表面镀一层金属铂上图表示在光照射太阳电池后,电池内的电子直接转移过程。(1)染料分子的激