GBT15.55-m

你要找的是这个标准化吗？因为你给的GB/T15.55-m 这个标准号没有哦，我查询了相似的，你看下是不是下面的这个，希望能帮助到你！

标准编号:GB/T 1555-2009

标准名称:半导体单晶晶向测定方法

标准状态:现行

英文标题:Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal

替代情况:替代GB/T 1555-1997

实施日期:2010-6-1

颁布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会

内容简介:本标准规定了半导体单晶晶向X 射线衍射定向和光图定向的方法。

本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。

单晶硅是用多晶硅为原料生产的，生产时需要掺入一定量的硼、磷、砷、锑等杂质。多

晶硅是超高纯的单质硅，纯度在6N 以上，也就是说，99．9999％以上都是硅，其杂质还不

足百万分之一。为了获得多晶硅，人们采取了各种手段，消耗大量电能，花费大量资金，利

用化学和物理的方法对硅进行反复的提纯，最后，好不容易获得了多晶硅。

问题是，这好不容易获得的多晶硅，为何在生产单晶硅时非要掺杂呢？

生产单晶硅时，掺杂的目的是为了使单晶硅达到特定的电学性质，从而使生产出的单晶

硅成为P型单晶硅或 N型单晶硅。

单晶硅是Ⅴ族元素半导体，要得到P型单晶硅，一般需要掺入Ⅲ族元素杂质，如 B、

Al、Ga和In；要得到 N型单晶硅，一般需要掺入Ⅴ族元素杂质，如P、As和Sb。但在实

际应用时，还要看杂质在硅液中的分凝系数、蒸发系数以及所需的掺杂量。对于P型掺杂，

由于 Al、Ga和In在硅液中的分凝系数很小，难以得

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