单管IGBT属于绝缘门极晶体管 ,第四代逆变技术。相对MOS管皮实耐用,MOS场效应管,属于第三代逆变技术。多个MOS管串联,其中一个炸管其他全炸。效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
大功率的LED应该直接串联就可以了!1、全部串起来,一共只需要加一个电阻限流即可,可靠性安全性最高。
2、并联的缺点就是每个LED得到的电流不同!烧掉一个对其他的每个LED的负担就更大了!但是烧到剩下一个还能亮!
3、串联的缺点就是LED烧掉一个整串就不亮了!!但是很容易做到每个LED的电流一样!如果LED的电流不超过额定值,一般不会烧的,寿命很长的。
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