拥有lGBT第三代半导体的上市公司是那个公司？

说起芯片的话，大家都知道，这是一个很重要的技术。技术含量非常的高。之前我们国家的芯片主要的话还是进口的比较多。最近两年随着科技的发展和国家大力支持，我们国内也有很多公司可以拥有IGBT第三代半导体的整套技术，可以自己上产，那么在有这些能力的上市公司有多少呢，大概是有20多家公司的话有这个能力。和技术可以做得到。

比如三安光电这家公司，就有这个能力。三安光电这家公司是国内成立最早的全色系列高亮度发光二极管外延及芯片生产厂家。一直从事半导体的研发生产和销售。

闻泰科技这个公司是，是智能终端ODM的企业龙头，也是拥有IGBT第三代半导体的研发能力，也有成熟的技术。产能一直在提升，公司对这块业务的投资也非常的大，一直在研发这块的技术。也是半导体公司的行业龙头。

台基股份公司。公司一直积极布局IGBT，固态脉冲开关及第三代半导体等前沿领域的研发，目前已经拥有很多项专利。产能也逐步上升。是中国功率半导体器件的主要制造商之一。公司产品应用于金属熔炼，工业加热，电机调速，软启动等等。以品种齐全质量可靠，服务诚信享誉和畅销全国，并且销往欧美，韩国，台湾，及东南亚国家和地区。是一家很不错的上市公司。

除了这些公司的话，也还有不少公司也是有这个能力和技术的，比如士兰微这家公司也有成熟的技术。可以生产6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线，而且还涵盖材料生长、器件研发、GaN电路研发、封装、系统应用的全技术链。 也是一家实力非常强的公司。

2月25日，斯达半导（603290）5日内股价上涨11.19%，今年来涨幅下跌-5.45%，涨1.83%，最新报353.34元/股。

斯达半导主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产，并以IGBT模块形式对外实现销售。

IGBT模块的核心是IGBT芯片和快恢复二极管芯片，公司自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争力之一。

公司生产的汽车级IGBT模块配套了超过20家终端汽车品牌，合计配套超过16万辆新能源汽车。

同时公司在车用空调，充电桩，电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额持续提高。

IGBT芯片概念股其他的还有： 汇川技术、扬杰科技、名家汇、联得装备、华微电子、国电南瑞、时代电气等。

扩展资料：

股票（stock）是股份公司所有权的一部分，也是发行的所有权凭证，是股份公司为筹集资金而发行给各个股东作为持股凭证并借以取得股息和红利的一种有价证券。

股票是资本市场的长期信用工具，可以转让，买卖，股东凭借它可以分享公司的利润，但也要承担公司运作错误所带来的风险。

每股股票都代表股东对企业拥有一个基本单位的所有权。每家上市公司都会发行股票。

同一类别的每一份股票所代表的公司所有权是相等的。

每个股东所拥有的公司所有权份额的大小，取决于其持有的股票数量占公司总股本的比重。

股票是股份公司资本的构成部分，可以转让、买卖，是资本市场的主要长期信用工具，但不能要求公司返还其出资。

大多数股票的交易时间是：

交易时间4小时，分两个时段，为：周一至周五上午9:30至11:30和下午13:00至15:00。

上午9:15开始，投资人就可以下单，委托价格限于前一个营业日收盘价的加减百分之十，即在当日的涨跌停板之间。9:25前委托的单子，在上午9:25时撮合，得出的价格便是所谓“开盘价”。9:25到9:30之间委托的单子,在9:30才开始处理。

如果你委托的价格无法在当个交易日成交的话，隔一个交易日则必须重新挂单。

休息日：周六、周日和上证所公告的休市日不交易。（一般为五一国际劳动节、十一国庆节、春节、元旦、清明节、端午节、中秋节等国家法定节假日）

交易费用

股票买进和卖出都要收佣金（手续费），买进和卖出的佣金由各证券商自定（最高为成交金额的千分之三，最低没有限制，越低越好），一般为：成交金额的0.05%，佣金不足5元按5元收。

卖出股票时收印花税：成交金额的千分之一（以前为3‰，2008年印花税下调，单边收取千分之一）。

2015年8月1日起，深市、沪市股票的买进和卖出都要照成交金额0.02‰收取过户费。

以上费用，小于1分钱的部分，按四舍五入收取。

还有一个很少时间发生的费用：批量利息归本。

相当于股民把钱交给了券商，券商在一定时间内，返回给股民一定的活期利息。

igbt是一种新型的半导体器件，自从问世以来在自动控制领域，诸如各类变频器、自动化设备、航天科技领域、电动汽车、高铁、煤矿电力、逆变器、电焊机、电影放映机以及大型医疗设备等都使用这个器件。

在家电行业从高档自动电饭煲、电磁炉、变频空调机、调温养生壶、高档调温电磁锅等等都离不开igbt这个半导体器件。

把交流电变成直流电，这个过程称为:整流。整流技术早在八十年代已经基本成熟。把直流电变成交流电，这一过程称为:逆变。

早在八十年代逆变技术依靠的是可控硅，俗称的晶闸管。其原理是将一直流电源加在可控硅的阳极和阴极上，通过另一个触发电路加在可控硅的控制集上，通过调整可控硅控制极上的导通时间，来决定直流电的通断，从而实现把直流电变成交流电的逆变。

另一个方案是将直流电加在晶体三极管上，俗称开关管。将直流电压加在开关管的集电极和发射极上，通过调节基极上的电位，来控制开关管的导通与关闭，从而实现把直流变成交流的逆变过程。

无论是可控硅技术还是开关管通断，都由于这些器件存在着自身电阻大即饱和压降大等特点，因为饱和压降是指在接通电路时自身会产生很大的电压降，随之带来的是产生大量的热。

同时也因为开关三极管的输入电阻小，需要很大的激励和推动电流，所以无论是可控硅还是开关三极管，对前一级电路有着很高的要求。

由于半导体材料自身的特性，即输入电阻小，饱和压降大的缺陷，使得在大功率输出方面限制了其应用范围。所以在很长的一段时间内，电流的逆变技术没有取得大的突破。

在八十年代后期，一只新型半导体器件横空出世，一举解决了前面出现的这些问题，这只半导体器件具有输入阻抗高，输出阻抗低的特点，克服了先前半导体的缺陷，这个半导体器件就是igbt。