Si二极管的正向导通电压是多少?

从理论计算上来说，二极管正向是一直导通，正向电流是关于正向压降的类指数函数：

当Va很小时，Id很小，近似认为没有电流，二级管是截止的；当va增加到id较为明显时（人为规定的，如1mA）时认为它导通，称对应的Va为正向导通电压VF。由于Id指数增加，所以计算出的VF较小。

受参杂浓度、制作工艺、温度、半导体材料等因素影响VF并非固定不变的，经计算，硅在300K下，一般在0.6-->0.7v左右。通常我们取0.7v（也有的书取0.6v）就可以了。从上面的公式看出当温度升高时，对应的VF也升高，所以说当温度较高时，VF是可能大于0.7v的。参杂浓度也会影响VF，但具体计算比较复杂，不做过多讨论。

上述公式推导涉及半导体物理、器件等内容，比较复杂，具体可以见下面这个ppt上的内容：

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正向导通电压如图示：

1金原子一般做复合中心，是深能级杂志

2都是整流，都是正向随着qv指数增加反向几乎饱和，肖特基结比pn导电能力强，无论正反。开启电压pn大，0.6v。pn借功耗大。（2）肖特基对于正向导电是多子器件，载流子无存储，没有寿命的问题，没有寿命，没有扩散电容，所以适合高频。pn正向时，少子器件，电荷存储效应，有电容，不适合高频。

4见2，以为主要是电子在起作用，多子起作用，因为金半接触嘛！

5

阈值电压： Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态，是器件由耗尽向反型转变时，是处于临界导通状态。

正如你说“根本不需要表面电子浓度大于体内空穴浓度

”这样MOS器件就不能反型，不能形成沟道，无法正常工作。

第二个能带图的理解问题，我回答不了，能力有限

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