第一类钝化膜是与制造器件的单晶硅材料直接接触的。其作用在于控制和稳定半导体表面的电学性质,控制固定正电荷和降低表面复合速度,使器件稳定工作。
第二类钝化膜通常是制作氧化层、金属互连布线上面的,它应是能保护和稳定半导体器件芯片的介质薄膜,需具有隔离并为金属互连和端点金属化提供机械保护作用,它既是杂质离子的壁垒,又使器件表面具有良好的力学性能。
钝化层是钝化的那部分。钝化是使金属表面转化为不易被氧化的状态,而延缓金属的腐蚀速度的方法。
——半导体表面态主要有两种:(1)固有(本征)表面态:晶格中断→表面产生悬挂键→具有束缚电子的作用~表面态。
(2)非本征表面态:杂质或者缺陷产生的价键→表面态。
——因为表面态是电子的一种束缚状态,所以,在能带图上,表面态上电子所对应的能量——能级,就称为表面能级。
——表面态也可以是空穴的束缚状态。
——表面态对于半导体性能的影响,主要表现为起复合中心作用,降低少数载流子寿命。
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