被EMP脉冲打击的电器件经受从外沿上的暂时电子破坏直到近中心的过压摧毁。现代半导体器件,特别是基于MOS技术的那些器件(例如商用计算机)由于瞬变高压而最易损坏。地面长线路(例如电传输线)充当EMP脉冲的巨大天线。因此,电源传输网络与通迅网络是极易损坏的。它们很可能被EMP脉冲所摧毁。任何含半导体的电子设备包括机载平台的系统都可能被电磁脉冲关闭或烧毁,除非该系统采用笨重而昂贵的电磁屏蔽、良好设计的滤波器和仔细接地等措施来加以完全保护。核武器空爆产生的电磁脉冲是一种极有效的区域武器。毫无疑问,它将破坏城市基础设施。
更灵活类型的EMP武器系统既可用微当量核武器(当量低于2千吨)、常规爆炸驱动的EMP装置,又可用等离子技术来产生EMP。微当量核武器或常规EMP装置可作为炸d[可能装到航天飞机(TAV)上]或作为导dd头投到目标近处。但是,EMP对电、电子设备的破坏效应是不可预见的,这些EMP“打击”力量最好用来对付依靠复杂电子设备的敌方平台与设施,特别是敌方的指挥、控制与通迅系统(战略目标)和敌方的空防系统(作战目标)。配备EMPd头的导d也是战斗中获取空中优势的有效武器,因为现代高性能的战斗机紧紧依靠复杂而易损的电子设备。
核爆产生的 EMP效应的主要麻烦是它会破坏有效范围的所有电子设备。脉冲以无方向性的方式传送并覆盖行星区,它可能破坏友军的设备,也可能对敌军造成影响。使用核驱动EMP武器的另一个障碍是世界都厌恶核武器,特别是轨道上的核武器。一旦核d在太空爆炸,它所产生的带电微粒容易被地球的范爱伦辐射带俘获。凡经过辐射带附近的卫星都会受到强烈的辐射照射,从而瓦解或摧毁屏蔽薄弱的卫星。带电粒子会在辐射带中停留很长一段时间,敌友都同样不能利用该空域。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)