esd反向failed

如果带电体的静电势或存储的静电能量较低，或ESD回路有限流电阻存在，一次ESD脉冲不足以引起器件发生突发性完全失效，但它会在器件内部造成轻微损伤，这种损伤又是积累性的。随着ESD脉冲次数增加，器件的损伤阈值电压逐渐下降，器件的电参数逐渐劣化，这类失效称为潜在性失效。潜在性失效的表现往往是器件的使用寿命缩短，或者一个本来不会使器件损伤的小脉冲却使该器件失效。潜在性失效降低了器件抗静电的能力，降低了器件的使用可靠性。半导体器件潜在性失效主要表现为：

(1)栅氧化层损伤

MOS栅氧化层受到ESD的作用，会产生细微损伤，有时会导致栅极泄漏电流少量增加。这种情况的发生可能是由于放电时形成丝状铝硅合金，该合金尚不能跨接整个栅氧化物，使得受损的氧化层击穿电压降低，在使用时就可能由于低能量EOS或者ESD使得已经受损的氧化层击穿，从而使器件失效。栅氧化层的击穿机理，目前认为可分为两个阶段:

第一阶段是建立阶段，或称为磨损阶段。在电应力作用下，氧化层内部及Si-SiO2界面处发生缺陷(陷阱、电荷)的积累，积累的缺陷达到某一程度后，使局部区域的电场(或缺陷数)达到某一临界值，转入下一阶段：

第二阶段是在热、电正反馈作用下，迅速使氧化层击穿的过程。栅氧寿命主要由第一阶段中的建立时间所决定。对电应力下氧化层中及界面处产生的缺陷，一般多认为是电荷引起的，对电荷的性质，主要有二种理论模型:负电荷积累模型和正电荷积累模型(此处不作详细说明)。

没有任何防护设备的情况下，静电是很容易击毁产品的。

在没有采取防静电措施的环境中， 各种物体都有可能产生静电，而且表面绝缘的物体能产生上万伏的静电电压，而在2000V以下的静电放电，人几乎是感觉不到的。而击毁一个芯片只需要不到200V的静电电压。

防护静电有很多种途径，包括静电屏蔽、静电泄放、控制湿度和静电中和等等，只要各种防护措施做到位，在防静电工作区内，还是可以对静电放电的发生进行有效地控制，减少元件被破坏的几率。防静电工作区的建立是一个系统工程，可以参考相关的国家标准和行业标准，里面有详细的说明和评判标准。

ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护器件，亦称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的单路或多路ESD保护器件。ESD静电保护二极管响应速度快（小于0.5ns）、低电容、低导通电压、高集成度、小体积、易安装，可以同时实现多条数据线保护，是业内最理想的高频数据保护器件。

ESD静电保护二极管，主要应用于各类通信接口的静电保护，如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等。同时，ESD静电保护元器件封装多样化，从单路的SOD-323到多路的SOT-23、SOT23-6L、QFN-10等，电路设计工程师可以根据电路板布局及接口类型选择不同封装的ESD静电保护二极管。 

SOT-23封装ESD静电保护二极管

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