如何用电化学工作站测半导体特性

我们实验室是这么做的：采用三电极体系，其中以涂在导电基底（如ITO）的半导体材料为工作电极，对电极为高纯石墨或Pt，参比要根据你溶液体系来定（这些和5楼的一样:hand:），电解液组成要根据你材料的特性和研究目的选择，建议你可以多看看你所研究材料及相关测试所用电解液的参考文献，尽量拿参考文献最常用的；采用恒电势极化测试技术来测量i-t曲线，测量时间需要根据你研究目的来定，如你仅仅看看光电流大小，那么时间可以设置短点，如果是研究光电流稳定性测试时间就要选长点（但测量时间长，有些电化学工作站测量取点就比较稀，如273）。测量时，给工作电极加上给定电极电势（有些体系也可不加），待电流稳定后，给工作电极照射按一定周期通、断的光，我们是做了个自动装置，也可以手动通、断光。为了避免长时间测量时红外加热测试系统，有时会在光和测量系统之间加个水柱。

还有一些细节，比如光通断周期和电极电势选择等什么的，你可能得自己先做个探索实验或查查文献了

大多数半导体的电阻率会随着温度和光照而变化，一般来说，你把半导体加热或者用强光照射，它的电阻率会变小。

简单的方法就是，用一个万用表，测一测这个物体在加热或者光照前后有没有电流变化。

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