半导体中通过电流的大小是由载流子的数目决定还是由载流子的速度决定?

半导体中通过电流的大小是由载流子的数目决定还是由载流子的速度决定?,第1张

半导体中通过电流的大小是由半导体的电导率和加在半导体两端的电压来决定.

而半导体的电导率由半导体中的载流子浓度和载流子的迁移率来决定(迁移率有点类似速度,不过单位是m^2/V.s);

半导体中的载流子一般包括自由电子和空穴两种.

所以,半导体中通过电流的大小不是仅仅由载流子的数目来决定,也不是仅仅由载流子的速度来决定.

这叫光伏效应。能产生光伏效应的材料有许多种,如:单晶硅,多晶硅,非晶硅,砷化镓,硒铟铜等。它们的发电原理基本相同,现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂磷可得N型硅,形成P-N结。当光线照射半导体表面时,一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子,使电子发生了越迁,成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差,当外部接通电路时,在该电压的作用下,将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的实质是:光子能量转换成电能的过程。这个原理多应用于太阳能电池里。

不能简单的说半导体就单向导电,单向导电的是P型半导体和N型半导体构成的PN结(各种半导体二极管、三极管都是由PN结构成)。P型半导体和N型半导体它们里面的多数载流子(简称多子)不一样,P型半导体的多子是空穴,N型半导的多子是电子,P型半导体和N型半导结合在一起时在交界面上形成一个势垒阻挡层,加正向电压(P+N-)时势垒阻挡层变薄,PN结导通;加反向电压(P-N+)时势垒阻挡层变厚,PN结截止(只有很小的漏电电流)。这就是PN结的单向导电性。


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/7588550.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2023-04-07
下一篇 2023-04-07

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存