半导体材料的元素位于

半导体材料是由一系列元素组成的，其中包括碳（C）、氮（N）、氧（O）、硅（Si）、磷（P）、硫（S）、砷（As）、硒（Se）、锗（Ge）、锡（Sn）、铜（Cu）、铋（Bi）、铝（Al）、钼（Mo）、钨（W）、铍（Be）、钒（V）、钴（Co）、钛（Ti）、钙（Ca）、锆（Zr）、铌（Nb）、镁（Mg）、铬（Cr）、钼（Mn）、钽（Ta）、铷（Rb）、锶（Sr）、钇（Y）、铯（Cs）、钆（Gd）、锆（Zn）、铪（Hf）、钼（Hg）、铊（Tl）、铯（Pb）、铋（Bi）、锇（Os）、钌（Ir）、钯（Pd）、铑（Rh）、钌（Ru）、铱（Yb）、铂（Pt）、钯（Au）、铑（Hg）、钐（Tm）、钆（Gd）、铕（Er）、钆（Tb）、铽（Dy）、镝（Ho）、钬（Lu）、锝（Tm）、钆（Yb）、锆（Lu）、钋（Th）、钍（U）、钚（Np）、铀（Pu）、钐（Am）、钫（Cm）、镭（Lr）等。

是Si，硅。

半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性）。

在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体最显著、最突出的特性。

硅原子的核外电子第一层有2个电子，第二层有8个电子，达到稳定态。最外层有4个电子即为价电子，它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。硅晶体中没有明显的自由电子，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。

纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，几乎是不导电的。但若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件。

以上元素中，除了硅外都不具有这种性质，所以都不能作为半导体的材料。

在元素周期表中金属和非金属的分界处,可以找到半导体材料,如硅、锗、镓等

另外还有半导体的特性：

半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质.它的重要特性表现在以下几个方面：

（1）热敏性 半导体材料的电阻率与温度有密切的关系.温度升高,半导体的电阻率会明显变小.例如纯锗（Ge）,温度每升高10度,其电阻率就会减少到原来的一半.

（2）光电特性 很多半导体材料对光十分敏感,无光照时,不易导电；受到光照时,就变的容易导电了.例如,常用的硫化镉半导体光敏电阻,在无光照时电阻高达几十兆欧,受到光照时电阻会减小到几十千欧.半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”.利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等.

近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管,它通过电流时能够发光,把电能直接转成光能.目前已制作出发黄,绿,红,蓝几色的发光二极管,以及发出不可见光红外线的发光二极管.

另一种常见的光电转换器件是硅光电池,它可以把光能直接转换成电能,是一种方便的而清洁的能源.

（3）搀杂特性 纯净的半导体材料电阻率很高,但掺入极微量的“杂质”元素后,其导电能力会发生极为显著的变化.例如,纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米,若掺入百万分之一的硼元素,电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米.因此,人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素,精确控制它的导电能力,用以制作各种各样的半导体器件.

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