电子管和晶体管的区别

电子管和晶体管的区别如下：

1、定义不同

电子管：电子管，是一种最早期的电信号放大器件。被封闭在玻璃容器（一般为玻璃管）中的阴极电子发射部分、控制栅极、加速栅极、阳极（屏极）引线被焊在管基上。利用电场对真空中的控制栅极注入电子调制信号，并在阳极获得对信号放大或反馈振荡后的不同参数信号数据。

早期应用于电视机、收音机扩音机等电子产品中，近年来逐渐被半导体材料制作的放大器和集成电路取代，但目前在一些高保真的音响器材中，仍然使用低噪声、稳定系数高的电子管作为音频功率放大器件（香港人称使用电子管功率放大器为“胆机”）。

晶体管：晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。

与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

2、发展历史不同

电子管：1883年，发明大王托马斯·爱迪生正在为寻找电灯泡最佳灯丝材料，曾做过一个小小的实验。

1904年，世界上第一只电子二极管在英国物理学家弗莱明的手下诞生了，这使爱迪生效应具有了实用价值。弗莱明也为此获得了这项发明的专利权。

1906年，美国发明家德福雷斯特（De Forest Lee），在二极管的灯丝和板极之间巧妙地加了一个栅板，从而发明了第一只真空三极管。

1947年，美国物理学家肖克利、巴丁和布拉顿三人合作发明了晶体管——一种三个支点的半导体固体元件。

晶体管：1947年12月，美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。

1945年秋天，贝尔实验室成立了以肖克莱为首的半导体研究小组，成员有布拉顿、巴丁等人。

1950年，第一只“PN结型晶体管”问世了，它的性能与肖克莱原来设想的完全一致。今天的晶体管，大部分仍是这种PN结型晶体管。

1956年，肖克利、巴丁、布拉顿三人，因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖。

3、组成不同

电子管：阴极：阴极是用来放射电子的部件, 分为氧化物阴极和碳化钍钨阴极。栅极：电子管的栅极根据它们在管中所起的作用不同分为一栅、二栅, 有时也称为控制栅、帘栅。阳极：阳极是收集阴极发射出来的大部分电子的电极。

晶体管：晶体管有三个极：双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。

参考资料来源：百度百科-电子管

参考资料来源：百度百科-晶体管

deck 是 机座 的意思。例如 盒式磁带机 机身，pause 是 暂停。 deck pasue 可以指 硬件：机座/机身/面板 上的 暂停按键， 也可以指 *** 作：按这个 按键 让机器 暂停播放。

直接了当的说吧，笔记本里没有日本产元器件，至少现在是不存在的。

电子电气领域，日本的综合水平世界第一，超过美国，这绝不是吹的。

一楼说的只是芯片技术，其实半导体方面美国的实力世界第一不假，但东芝（TOSHIBA）和NEC（日本电气）在很多方面都有其独到之处，有些方面连美国主子都赶不上。

再退一步说，美国有世界最好的IC设计和芯片制造厂商（半导体光刻这些），而后面的封装企业所用的设备几乎都是日本产的。换句话说，世界上大的半导体厂商在制造芯片时用的设备中，有相当数量都是日本产的，而且是世界独此一家。日本在精密测量和制造领域的技术实力和功底非常了得，我们国内的半导体做不上去，有一个原因就是日本对我们进行极为严格的高性能设备禁运。按他们的话中：ZG没有的，我们不卖，ZG有的，我们半价。把你往死里整。

更严重的问题在于，日本在很多基础电子元器件领域都是世界老大，比如说电容，世界上最好的电容生产厂家大部分在日本，比如Nichicon，rubycon，松下等等，都是日本的。比如说石英晶体振荡器，世界前5位中，只有一家（老五）是台湾的（而且还只是做汽车专用的晶振），前四都是日本厂家。

国内产品往往是大厂的产品质量远远超过小厂，但日本不一样，很多看起来小作坊一样的家庭厂商，一样能做到世界第一（世界第一的铅球厂商就在日本，不过这个厂连厂长算上就6个人，牛吧），从这里可以看出民族产业与日本企业的差距。

PS：现在很多人心里想着、嘴里说的抵制日货，但说到真正做事，就知道炒房子炒期货，真正能潜心研究制造技术的，少之又少。最近几年，学习工科的人越来越少，很多工科学生毕业后也不愿意从事工程、制造方面工作，楼主期望的目标有渐行渐远的趋势。

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