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法一:书上有图,可以通过图查的数据法二:p=1/(nqμn+pqμp),根据掺杂类型该式可以简化,然后根据半导体材料和温度大致知道载流子的迁移率,可以求得掺杂浓度。推荐法一,有疑问可以追问或者百度hi哦,满意请采纳o(∩_∩)o接触,在较小接触面上加反向装置,使处于耗尽状态,用c-v测试仪测电容-电压曲线由此,便可测半导体杂质浓度。1分析为什么不用考虑大圈一侧?2论述如何用这种谁能给我详细介绍一下水银探针法
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