以介绍半导体为主题的英语作文

钻石可能成为理想的半导体

Along with being a "girl's best friend," diamonds also have remarkable1properties that could make them ideal semiconductors3. This is welcome news for electronicssemiconductors are needed to meet the rising demand for more efficient electronics that deliver and convert power. The thirst for electronics is unlikely to cease and almost every appliance or device requires a suite4of electronics that transfer, convert and control power. Now, researchers have taken an important step toward that technology with a new way to dope single crystals of diamonds, a crucial process for building electronic devices.

"We need the devices to manipulate the power in the way that we want," said Zhengqiang (Jack) Ma, an electrical and computer engineering professor at the University of Wisconsin-Madison. He and his colleagues describe their new method in the Journal of Applied5 Physics, from AIP Publishing.

4。氮化物半导体的导电控制4.1。蓝色发现的p -型导电交界的n氮化镓GaN和实现的P -发光二极管没有成功，许多团体试图制造p型氮化镓但。随着氮化镓晶体质量控制成功的，我们就可以开始工作，在p型掺杂。使用的LT - AlN缓冲层，密度氮化镓残余捐助也大幅下降如上所述。但在上尽管一再努力锌掺杂，它不可能产生p型氮化镓。 1987年，我们发现，发光强度锌有关的大量增加时，高品质的锌掺杂的GaN层与成长的LT - AlN缓冲了电子束照射在阴极发光（CL）的测量[21]。我们认为这种现象（称为电子束的影响）[21]可能是密切相关的传导与活化锌，因此与受体PTYPE的。但晶体并没有显示p型传导。与此同时，在1988年，我们注意到，可能是受体镁锌浅比，因为它的电是]大22比锌[。 1989年，我们成功地在镁掺杂高品质氮化镓使用镁掺杂Cp2Mg或MCP2Mg作为一个同时保持AlN缓冲层技术的高品质结晶使用的LT - [23]。然后镁掺杂GaN样品进行照射用电子束在掺杂样品一样的锌。我们发现效果大大提高电子束蓝色发光这些Mgdoped氮化镓样品（部门）以及低电阻率的样品是p型氮化镓[24]。随即，我们实现了世界上第一个氮化镓的p - n结蓝/紫外发光二极管令人鼓舞的I - V特性于1989年[24]，如图所示研究。 5。我们实现了p型氮化铝镓在1991年[25]和p型GaInN在1995年[26]以相同的方式。 1992年，PTYPE的氮化镓也产生Mgdoped氮化镓铝热退火成长与缓冲层，中村等的LT - GaN的。 [27]。后来，p型氮化镓紫外得到[28]或电磁波辐射[29,30] 400集成电路在高温下。为了实现p型氮化物，就必须激活[31镁受体释放氢气，32]。但是，我们首先要大幅度降低钝化受体的剩余供氢之前解决相关的问题。

amorphous semiconductor

非晶形半导体, 无定形半导体

binary semiconductor

二元(化合物)半导体

compensated semiconductor

补偿半导体

complementary symmetry metal oxide semiconductor

互补对称金属氧化物半导体

compound semiconductor

化合物半导体

covalent semiconductor

共价半导体

defective semiconductor

不良半导体, 有缺陷半导体

degeneracy semiconductor

简并半导体

degenerate semiconductor

简并半导体

deplete semiconductor

耗尽型半导体, 贫乏型 半导体

depleting-layer semiconductor

耗尽层半导体

direct band-gap semiconductor

直接跃迁半导体

direct-gap semiconductor

直接带隙半导体

element semiconductor

单质半导体, 元素半导体

excess semiconductor

过剩半导体

fused semiconductor

熔凝半导体

gallium arsenide semiconductor

呻化镓半导体

gas sensory semiconductor

气敏半导体

indirect gap semiconductor

间接能隙半导体

inhomoge-neoussemiconductor

不均匀半导体

integratedsemiconductor

集成半导体

intermetallic semiconductor

金属间半导体

intrinsic semiconductor

本征半导体, 纯半导体, 无杂质半导体

liquid semiconductor

易变半导体

magnetic semiconductor

磁性半导体

many-valley semiconductor

(有多谷形能带的)多谷型半导体

metal-oxide semiconductor

金属氧化物半导体

mixed semiconductor

混合半导体

monoatomic semiconductor

单质半导体

non-polar semiconductor

非极性半导体

oxidation type semiconductor

氧化型半导体

oxide semiconductor

氧化物半导体

photosensitive semiconductor

光敏半导体

piezoelectric semiconductor

压电半导体

plastic semiconductor

半导体塑料

polar semiconductor

极性半导体

polymer semiconductor

聚合半导体

power semiconductor

功率半导体器件

proper semiconductor

固有半导体, 本征半导体

pure semiconductor

纯半导体, 本征半导体

reduction type semiconductor

还原型半导体

ternary semiconductor

三元化合物半导体

---